宽带射频接收机前端低噪声放大器设计
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-14页 |
| ·课题背景及意义 | 第10-11页 |
| ·射频接收机系统简介 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文所做工作及组织结构 | 第13-14页 |
| 2 低噪声放大器的基础理论 | 第14-30页 |
| ·RF CMOS器件 | 第14-20页 |
| ·RF COMS工艺中的电阻 | 第14-15页 |
| ·RF CMOS工艺中的电容 | 第15-16页 |
| ·RF CMOS工艺中的电感 | 第16-18页 |
| ·RF IC中的MOSFET | 第18-20页 |
| ·噪声理论 | 第20-27页 |
| ·噪声源 | 第20-21页 |
| ·MOSFET的噪声 | 第21-23页 |
| ·经典的二端口网络噪声理论 | 第23-25页 |
| ·功耗约束噪声优化 | 第25-27页 |
| ·线性度 | 第27-29页 |
| ·1dB压缩点 | 第27-28页 |
| ·三阶交调点 | 第28-29页 |
| ·阻抗匹配网络 | 第29-30页 |
| 3 宽带低噪声放大器的设计 | 第30-44页 |
| ·参数指标要求 | 第30-31页 |
| ·低噪声放大器的拓扑结构 | 第31-37页 |
| ·输入端并联电阻的共源放大器 | 第32-33页 |
| ·电压并联负反馈共源放大器 | 第33-34页 |
| ·具有源极电感负反馈的共源放大器 | 第34-35页 |
| ·共栅放大器 | 第35-37页 |
| ·宽带低噪声放大器整体设计 | 第37-44页 |
| ·共栅输入级 | 第38-40页 |
| ·共源放大级 | 第40-41页 |
| ·输出缓冲级 | 第41-42页 |
| ·偏置电路和电流源 | 第42-43页 |
| ·带有偏置电路的整体电路 | 第43-44页 |
| 4 宽带低噪声放大器的前仿真 | 第44-51页 |
| ·增益特性 | 第44-46页 |
| ·噪声特性 | 第46页 |
| ·输入输出匹配和反向隔离 | 第46-48页 |
| ·线性特性 | 第48-50页 |
| ·功耗 | 第50-51页 |
| 5 版图设计 | 第51-53页 |
| ·版图设计的基本流程 | 第51-52页 |
| ·宽带低噪声放大器的完整版图 | 第52-53页 |
| 6 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 作者简历 | 第58-60页 |
| 学位论文数据集 | 第60页 |
