| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-19页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第19-23页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 中子探测器的理论基础 | 第25-31页 |
| 2.1 中子的基本性质及分类 | 第25页 |
| 2.2 中子探测原理方法 | 第25-27页 |
| 2.3 半导体中子探测器 | 第27-29页 |
| 2.4 微结构半导体中子探测器 | 第29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 材料的选择 | 第31-35页 |
| 3.1 衬底材料的选择 | 第31-33页 |
| 3.2 中子转换材料的选择 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 MSND探测性能的蒙特卡洛模拟 | 第35-51页 |
| 4.1 MSND微结构形式及结构参数的设定 | 第35-38页 |
| 4.1.1 MSND微结构形式 | 第35-36页 |
| 4.1.2 MSND结构参数的设定 | 第36-38页 |
| 4.2 蒙特卡洛模拟结果及分析 | 第38-50页 |
| 4.2.1 沟槽型MSND模拟结果 | 第38-42页 |
| 4.2.2 圆孔型MSND模拟结果 | 第42-45页 |
| 4.2.3 圆柱型MSND模拟结果 | 第45-47页 |
| 4.2.4 三种微结构MSND模拟结果对比 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 MSND电流脉冲响应特性及电荷收集特性的模拟 | 第51-77页 |
| 5.1 次级粒子在MSND中的输运过程 | 第52-53页 |
| 5.2 MSND仿真物理模型 | 第53-58页 |
| 5.3 MSND电流脉冲响应特性模拟结果与分析 | 第58-66页 |
| 5.3.1 MSND对 α 粒子电流脉冲响应特性分析 | 第58-62页 |
| 5.3.2 MSND对~3H粒子电流脉冲响应特性分析 | 第62-66页 |
| 5.4 MSND电荷收集特性模拟结果与分析 | 第66-75页 |
| 5.4.1 电荷收集率与电荷收集时间 | 第66-68页 |
| 5.4.2 MSND对 α 粒子电荷收集特性分析 | 第68-72页 |
| 5.4.3 MSND对3H粒子电荷收集特性分析 | 第72-75页 |
| 5.5 MSND制作方案 | 第75-76页 |
| 5.6 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 论文总结 | 第77-78页 |
| 6.2 研究展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
