| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究状况和发展趋势 | 第11-13页 |
| 1.2.1 自旋流的产生及探测技术 | 第11-12页 |
| 1.2.2 关于自旋相关效应国内外的研究 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 基础理论 | 第15-37页 |
| 2.1 微波磁学基础 | 第15-22页 |
| 2.1.1 磁化强度矢量的运动方程 | 第15-17页 |
| 2.1.2 张量磁导率 | 第17-20页 |
| 2.1.3 铁磁共振线宽及铁磁共振微观机理 | 第20-22页 |
| 2.2 测试仪器介绍 | 第22-26页 |
| 2.2.1 微带线终端短路测试夹具 | 第22-23页 |
| 2.2.2 锁相放大器 | 第23-24页 |
| 2.2.3 低温恒温器及温度控制器Lake Shore 325 | 第24-26页 |
| 2.3 自旋基本理论 | 第26-36页 |
| 2.3.1 自旋流 | 第26-27页 |
| 2.3.2 自旋轨道耦合作用 | 第27-29页 |
| 2.3.3 各向异性磁阻AMR效应 | 第29-30页 |
| 2.3.4 反常霍尔AHE效应 | 第30-32页 |
| 2.3.5 逆自旋霍尔ISHE效应 | 第32-34页 |
| 2.3.6 自旋泵浦效应 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 不同Pt层厚度对逆自旋霍尔效应的影响 | 第37-55页 |
| 3.1 不同NM层厚度FM/NM双层薄膜制备 | 第37-38页 |
| 3.2 测试电压的定量分析 | 第38-47页 |
| 3.2.1 自旋整流电压VSRE的推导 | 第39-42页 |
| 3.2.2 逆自旋霍尔电压VISHE的推导 | 第42-45页 |
| 3.2.3 上下翻转样品测试逆自旋霍尔电压的方法 | 第45-47页 |
| 3.3 不同厚度的测试结果及分析 | 第47-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 温度相关的双层薄膜逆自旋霍尔效应的研究 | 第55-65页 |
| 4.1 相关测试平台系统的搭建 | 第55-56页 |
| 4.2 测试过程 | 第56-57页 |
| 4.3 NiFe/Pt薄膜样品测试结果及分析 | 第57-62页 |
| 4.4 三层铁磁性Ta/NiFe/Ru薄膜样品的温度测试结果及分析 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 硕士研究期间取得的成果 | 第72-73页 |