| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| ·氮化硼的介绍 | 第10-14页 |
| ·氮化硼的四种同素异构体 | 第10-12页 |
| ·h-BN 的结构、性质及应用前景 | 第12页 |
| ·c-BN 的结构、性质及应用前景 | 第12-14页 |
| ·BN 薄膜的研究进展 | 第14-18页 |
| ·高质量c-BN 薄膜的制备和外延生长 | 第14-17页 |
| ·BN 薄膜的掺杂及相关的基本器件模块 | 第17-18页 |
| ·氮化硼薄膜的制备与表征方法 | 第18-24页 |
| ·氮化硼薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| ·氮化硼薄膜的表征方法 | 第21-24页 |
| ·本论文的主要工作 | 第24-25页 |
| 第2章 射频磁控溅射法镍过渡层上制备立方氮化硼薄膜 | 第25-43页 |
| ·射频磁控设备 | 第25-32页 |
| ·辉光放电原理 | 第25-27页 |
| ·射频磁控溅射机理 | 第27-30页 |
| ·溅射镀膜 | 第30-31页 |
| ·射频磁控设备 | 第31-32页 |
| ·研究进展及可行性理论分析 | 第32-33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·衬底的清洗 | 第33页 |
| ·射频磁控法制备镍过渡层及立方氮化硼薄膜 | 第33-34页 |
| ·实验结果和分析 | 第34-40页 |
| ·镍过渡层对氮化硼薄膜中立方相形成的影响 | 第34-38页 |
| ·衬底偏压对氮化硼薄膜中立方相形成的影响 | 第38-39页 |
| ·衬底温度对氮化硼薄膜中立方相形成的影响 | 第39-40页 |
| ·镍过渡层上氮化硼薄膜退火研究 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第3章 硼膜退火的研究 | 第43-55页 |
| ·选题的研究内容、实验设想 | 第43页 |
| ·电子束蒸发镀膜设备 | 第43-47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·衬底的清洗及靶材的制备 | 第47页 |
| ·电子束蒸发镀膜设备制备硼膜 | 第47页 |
| ·硼膜在氮气中加热退火 | 第47-48页 |
| ·实验结果和分析 | 第48-53页 |
| ·红外谱图分析 | 第48-51页 |
| ·XPS 分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 六角氮化硼薄膜原位掺硫的研究 | 第55-67页 |
| ·掺杂方法及掺杂机理 | 第55-57页 |
| ·掺杂方法 | 第55-56页 |
| ·掺杂机理 | 第56-57页 |
| ·实验过程 | 第57-58页 |
| ·射频磁控溅射法原位掺硫制备氮化硼薄膜 | 第57-58页 |
| ·电学特性测量 | 第58页 |
| ·实验结果和分析 | 第58-66页 |
| ·硫蒸发源温度（掺杂剂量）对BN( n 型)薄膜的影响 | 第58-62页 |
| ·退火对BN(n 型)薄膜的影响 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 h-BN/Si 薄膜异质结电学性质 | 第67-71页 |
| ·不同硫掺杂剂量的h-BN/Si n-p 异质结的伏安特性 | 第68-69页 |
| ·实验结果讨论 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文和申请专利 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
