Ga2O3薄膜的制备及其光电性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 氧化镓的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.2.1 β-Ga_2O_3的结构特点 | 第11-12页 |
| 1.2.2 β-Ga_2O_3的光学性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 β-Ga_2O_3的电学性质 | 第13页 |
| 1.2.4 β-Ga_2O_3的气敏性质 | 第13页 |
| 1.3 紫外光电探测材料的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.4 氧化镓材料的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.5 论文研究的目的和主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜的制备方法与表征技术 | 第19-30页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第19-23页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射 | 第19-20页 |
| 2.1.2 金属有机物化学气相沉积（MOCVD） | 第20-21页 |
| 2.1.3 分子束外延（MBE） | 第21-22页 |
| 2.1.4 原子层沉积（ALD） | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜的分析表征方法 | 第23-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第23-24页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| 2.2.4 紫外-可见光谱 | 第26-27页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱（XPS） | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 氧化镓薄膜的制备与其性能研究 | 第30-47页 |
| 3.1 氧化镓薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 3.1.1 衬底的清洗 | 第30页 |
| 3.1.2 样品的制备 | 第30-31页 |
| 3.2 氧化镓薄膜的表征与分析 | 第31-45页 |
| 3.2.1 衬底种类对薄膜结构的影响 | 第31-37页 |
| 3.2.2 沉积温度对薄膜结构和形貌的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.3 沉积温度对薄膜光学特性的影响 | 第40页 |
| 3.2.4 退火对薄膜结构和形貌的影响 | 第40-44页 |
| 3.2.5 退火温度对薄膜光学特性的影响 | 第44-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 氧化镓薄膜的光电特性 | 第47-64页 |
| 4.1 光探测器的分类和工作原理 | 第47-49页 |
| 4.2 基于氧化镓薄膜的MSM结构制备 | 第49-50页 |
| 4.3 氧化镓薄膜光电性能的重要参数 | 第50-52页 |
| 4.3.1 光暗电流比 | 第50-51页 |
| 4.3.2 量子效率 | 第51页 |
| 4.3.3 直流光谱响应度（光电灵敏度） | 第51-52页 |
| 4.3.4 响应时间 | 第52页 |
| 4.4 各种工艺对性能的影响 | 第52-62页 |
| 4.4.1 沉积温度对薄膜光电特性的影响 | 第52-56页 |
| 4.4.2 退火温度对薄膜光电特性的影响 | 第56-61页 |
| 4.4.3 薄膜厚度对光电特性的影响 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第72-73页 |
