| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 常规GaN基异质结构材料以及HEMTs的研究进展 | 第16-19页 |
| 1.1.1 GaN基异质结构的特性与优势 | 第16-18页 |
| 1.1.2 GaN基异质结构材料与HEMTs的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.2 GaN基双异质结及其HEMTs的研究进展及研究意义 | 第19-20页 |
| 1.2.1 GaN基双异质结及其HEMTs的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.2.2 GaN基双异质结构HEMTs的研究意义 | 第20页 |
| 1.3 本文研究内容及安排 | 第20-22页 |
| 第二章 GaN基异质结构的理论基础 | 第22-34页 |
| 2.1 GaN基异质结构相关物理理论 | 第22-26页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结构的能带理论 | 第22-23页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结构的极化理论 | 第23-26页 |
| 2.2 GaN基异质结构仿真研究 | 第26-32页 |
| 2.2.1 Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N/GaN异质结构 | 第26-28页 |
| 2.2.2 Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N异质结构 | 第28-30页 |
| 2.2.3 Al_xGa_(1-x)N/GaN/In_yGa_(1-y)N/GaN异质结构 | 第30-32页 |
| 2.3 GaN基异质结材料中的散射机制 | 第32-33页 |
| 2.4 本章总结 | 第33-34页 |
| 第三章 复合缓冲层GaN基异质结构生长及表征 | 第34-56页 |
| 3.1 复合缓冲层GaN基异质结构设计与生长 | 第34-37页 |
| 3.1.1 复合缓冲层GaN基异质结构设计 | 第34-35页 |
| 3.1.2 复合缓冲层GaN基异质结构生长 | 第35-37页 |
| 3.2 复合缓冲层GaN基异质结构材料表征 | 第37-47页 |
| 3.2.1 复合缓冲层GaN基异质结构AFM表征 | 第38-39页 |
| 3.2.2 复合缓冲层GaN基异质结构HRXRD表征 | 第39-46页 |
| 3.2.3 复合缓冲层GaN基异质结构变温Hall表征 | 第46-47页 |
| 3.3 Si基GaN异质结构层间应力及镶嵌结构研究 | 第47-54页 |
| 3.3.1 Si基GaN结构应力研究 | 第49-51页 |
| 3.3.2 Si基GaN镶嵌结构研究 | 第51-54页 |
| 3.4 本章总结 | 第54-56页 |
| 第四章 复合缓冲层GaN基双异质结构器件特性研究 | 第56-70页 |
| 4.1 复合缓冲层GaN基异质结构HEMTs的制备 | 第56-58页 |
| 4.1.1 HEMTs器件的常规制备工艺 | 第56-57页 |
| 4.1.2 复合缓冲层GaN基异质结构HEMTs的制备 | 第57-58页 |
| 4.2 AlGaN/GaN双异质结构常温直流特性 | 第58-62页 |
| 4.3 AlGaN/GaN双异质结构高温直流特性 | 第62-68页 |
| 4.4 本章总结 | 第68-70页 |
| 第五章 结束语 | 第70-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
