基于金属磁记忆的无损检测研究
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 常规无损检测技术 | 第9-12页 |
| 1.3 金属磁记忆国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3.1 机理研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 磁记忆信号处理方法研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.3 特征量提取研究现状 | 第15页 |
| 1.3.4 检测仪器研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 磁记忆效应的机理 | 第16-20页 |
| 1.4.1 磁畴假说 | 第16页 |
| 1.4.2 磁化曲线与磁滞回线 | 第16-18页 |
| 1.4.3 磁致伸缩效应与磁弹性效应 | 第18-19页 |
| 1.4.4 能量最小原则 | 第19-20页 |
| 1.4.5 磁记忆效应的成因 | 第20页 |
| 1.5 本文主要内容以及结构安排 | 第20-22页 |
| 2 磁记忆信号的漏磁场研究 | 第22-44页 |
| 2.1 磁记忆信号的漏磁场特征 | 第22-23页 |
| 2.2 磁记忆信号的特征提取 | 第23页 |
| 2.3 磁偶极子模型 | 第23-25页 |
| 2.4 磁记忆信号的漏磁场计算 | 第25-27页 |
| 2.5 磁记忆信号的影响因素分析 | 第27-41页 |
| 2.5.1 测试提离值对磁记忆信号的影响 | 第28-29页 |
| 2.5.2 缺陷宽度对磁记忆信号的影响 | 第29-34页 |
| 2.5.3 缺陷深度对磁记忆信号的影响 | 第34-41页 |
| 2.6 拟合误差参数分析 | 第41-43页 |
| 2.6.1 缺陷宽度拟合方程的误差分析 | 第42页 |
| 2.6.2 缺陷深度拟合方程的误差分析 | 第42-43页 |
| 2.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 3 金属磁记忆检测的有限元仿真 | 第44-62页 |
| 3.1 仿真软件介绍 | 第44页 |
| 3.2 缺陷参数对磁记忆信号影响的有限元仿真 | 第44-53页 |
| 3.2.1 有限元仿真建模及参数设置 | 第44-46页 |
| 3.2.2 仿真结果分析 | 第46-53页 |
| 3.3 力磁耦合效应的有限元仿真 | 第53-61页 |
| 3.3.1 力磁耦合仿真原理及流程 | 第53-54页 |
| 3.3.2 仿真模型建立及参数设置 | 第54-56页 |
| 3.3.3 地磁场的影响分析 | 第56-58页 |
| 3.3.4 力磁耦合仿真结果分析 | 第58-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 4 金属磁记忆检测的试验与分析 | 第62-82页 |
| 4.1 试验传感器的选择 | 第62-67页 |
| 4.2 金属磁记忆检测系统 | 第67-69页 |
| 4.3 试样的制备 | 第69-70页 |
| 4.4 缺陷特征量的提取与分析 | 第70-76页 |
| 4.4.1 缺陷深度变化下的特征量分析 | 第70-73页 |
| 4.4.2 缺陷宽度变化下的特征量分析 | 第73-76页 |
| 4.5 仿真与试验结果的对比分析 | 第76-80页 |
| 4.5.1 缺陷深度变化下的对比分析 | 第76-78页 |
| 4.5.2 缺陷宽度变化下的对比分析 | 第78-80页 |
| 4.6 本章小结 | 第80-82页 |
| 5 总结与展望 | 第82-84页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第82-83页 |
| 5.2 研究与展望 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 附录 | 第90页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第90页 |
