| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 太阳能电池的发展简史 | 第12-13页 |
| 1.3 太阳能电池的分类 | 第13-15页 |
| 1.4 Cu_2ZnSnS_4基薄膜太阳能电池的概述 | 第15-17页 |
| 1.4.1 Cu_2ZnSnS_4材料的晶格结构和基本性质 | 第15-16页 |
| 1.4.2 Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池 | 第16-17页 |
| 1.5 Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备方法 | 第17-19页 |
| 1.5.1 蒸发法 | 第17页 |
| 1.5.2 溅射法 | 第17-18页 |
| 1.5.3 脉冲激光沉积法 | 第18页 |
| 1.5.4 溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| 1.5.5 电化学沉积法 | 第18-19页 |
| 1.6 影响脉冲电沉积CZTS薄膜的实验条件 | 第19-20页 |
| 1.6.1 沉积电位 | 第19-20页 |
| 1.6.2 离子浓度 | 第20页 |
| 1.6.3 络合剂 | 第20页 |
| 1.6.4 PH值 | 第20页 |
| 1.6.5 析氢 | 第20页 |
| 1.7 目前存在的主要问题 | 第20-21页 |
| 1.8 选题依据和研究内容 | 第21-23页 |
| 1.8.1 选题依据 | 第21-22页 |
| 1.8.2 主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 一步共沉积法制备CZTS预制层薄膜 | 第23-35页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-26页 |
| 2.2.1 仪器与试剂 | 第23-24页 |
| 2.2.2 基片处理 | 第24-25页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-33页 |
| 2.3.1 沉积电位对制备CZTS预制层薄膜的影响 | 第26-29页 |
| 2.3.2 硫酸锌浓度对制备CZTS预制层薄膜的影响 | 第29-31页 |
| 2.3.3 沉积时间对制备CZTS预制层薄膜的影响 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 CZTSSe吸收层薄膜的制备 | 第35-49页 |
| 3.1 前言 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-38页 |
| 3.2.1 仪器与试剂 | 第35-36页 |
| 3.2.2 基片处理 | 第36页 |
| 3.2.3 实验过程 | 第36-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-47页 |
| 3.3.1 不同硒化环境对CZTSSe吸收层的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.2 不同硒化温度对CZTSSe吸收层形成的影响 | 第41-44页 |
| 3.3.3 不同硒化时间对CZTSSe吸收层形成的影响 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 CZTSSe薄膜太阳能电池器件的构筑 | 第49-57页 |
| 4.1 前言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.1 仪器与试剂 | 第50页 |
| 4.2.2 基片处理 | 第50页 |
| 4.2.3 Mo电极的制备 | 第50-51页 |
| 4.2.4 CuZnSnS预制层的制备 | 第51页 |
| 4.2.5 CZTS预制层的硒化 | 第51页 |
| 4.2.6 缓冲层CdS的制备 | 第51页 |
| 4.2.7 窗口层的制备 | 第51-52页 |
| 4.2.8 蒸镀Ag电极 | 第52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-55页 |
| 4.3.1 器件的SEM形貌 | 第52页 |
| 4.3.2 吸收层的XRD物相分析 | 第52-53页 |
| 4.3.3 吸收层拉曼光谱分析 | 第53-54页 |
| 4.3.4 吸收层的紫外可见光吸收分析 | 第54页 |
| 4.3.5 太阳能电池器件的光电特性测试分析 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57页 |
| 5.2 不足与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 硕士期间已完成的论文与工作 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
