摘要 | 第6-8页 |
abstract | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第13-33页 |
1.1 忆阻器简介 | 第13-14页 |
1.2 神经突触概述 | 第14-16页 |
1.2.1 神经突触简介 | 第14-15页 |
1.2.2 神经突触可塑性与学习机制 | 第15-16页 |
1.3 忆阻型突触仿生器件的研究现状 | 第16-30页 |
1.3.1 忆阻型突触器件的分类 | 第17-22页 |
1.3.2 忆阻型突触器件的材料选择 | 第22-25页 |
1.3.3 忆阻型突触器件机理探讨 | 第25-28页 |
1.3.4 忆阻型突触器件遇到的瓶颈 | 第28-30页 |
1.4 本文的研究意义和内容 | 第30-33页 |
第二章 材料制备技术与表征方法 | 第33-43页 |
2.1 引言 | 第33页 |
2.2 薄膜制备技术 | 第33-36页 |
2.2.1 磁控溅射 | 第33-34页 |
2.2.2 电子束蒸发 | 第34-36页 |
2.2.3 快速气氛退火炉 | 第36页 |
2.3 器件测试与薄膜微观结构表征 | 第36-42页 |
2.3.1 半导体参数测试仪 | 第36-37页 |
2.3.2 X射线衍射仪 | 第37页 |
2.3.3 综合物理性能测试系统 | 第37-38页 |
2.3.4 原子力显微镜 | 第38-39页 |
2.3.5 透射电子显微镜和聚焦离子束制样 | 第39-40页 |
2.3.6 扫描电子显微镜 | 第40-41页 |
2.3.7 X射线光电子能谱 | 第41-42页 |
2.4 本章小结 | 第42-43页 |
第三章 ZnO/Zn S忆阻器制备及神经突触功能模拟 | 第43-59页 |
3.1 引言 | 第43页 |
3.2 薄膜制备和器件构筑 | 第43-44页 |
3.2.1 衬底制备 | 第43页 |
3.2.2 ZnO及ZnS薄膜的沉积 | 第43-44页 |
3.2.3 忆阻器件的构筑 | 第44页 |
3.3 ZnO及ZnS忆阻器性能分析 | 第44-50页 |
3.3.1 Cu/ZnO/Pt器件的忆阻性能分析 | 第44-46页 |
3.3.2 退火处理对ZnO忆阻器件性能的影响 | 第46-49页 |
3.3.3 Cu/ZnS/Pt器件的忆阻性能分析 | 第49-50页 |
3.4 热氧化ZnS基忆阻器性能分析 | 第50-52页 |
3.4.1 不同氧化温度对ZnS基忆阻器性能影响 | 第50-51页 |
3.4.2 热氧化ZnS基忆阻器的参数优化 | 第51-52页 |
3.5 热氧化ZnS基忆阻器神经突触功能模拟 | 第52-58页 |
3.5.1 非线性传输特性 | 第52-53页 |
3.5.2 长/短程可塑性研究和学习训练性模拟 | 第53-56页 |
3.5.3 生物突触STDP、SRDP和SVDP功能的模拟 | 第56-58页 |
3.6 本章小结 | 第58-59页 |
第四章 基于ZnO/ZnS的超高灵敏忆阻型突触器件 | 第59-70页 |
4.1 引言 | 第59-60页 |
4.2 基于ZnO/ZnS的超低工作电压忆阻器 | 第60-63页 |
4.2.1 超低电压忆阻器的发现 | 第60-61页 |
4.2.2 超低电压忆阻器性能测试 | 第61-63页 |
4.3 超高灵敏忆阻型突触器件 | 第63-69页 |
4.3.1 生物突触长/短程可塑性模拟 | 第63-66页 |
4.3.2 长/短时记忆的动态演示 | 第66-67页 |
4.3.3 逻辑运算 | 第67-69页 |
4.4 本章小结 | 第69-70页 |
第五章 ZnO/Zn S基忆阻器机理分析 | 第70-85页 |
5.1 低温热氧化处理对ZnS薄膜结构及微结构的影响 | 第70-75页 |
5.1.1 ZnS薄膜结构变化 | 第70-73页 |
5.1.2 ZnS薄膜成分及其形貌变化 | 第73-75页 |
5.2 低温热氧化处理ZnS基忆阻器工作机理 | 第75-81页 |
5.2.1 导电细丝型忆阻机理 | 第75-77页 |
5.2.2 高电灵敏性出现的原因 | 第77-81页 |
5.3 高电灵敏性机制的进一步证明 | 第81-83页 |
5.3.1 CMOSOL软件模拟器件内部电场分布 | 第81-82页 |
5.3.2 Cu/ZnO/ZnS/Pt器件的构筑 | 第82-83页 |
5.4 总结 | 第83-85页 |
第六章 总结和展望 | 第85-87页 |
6.1 总结 | 第85-86页 |
6.2 展望 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-96页 |
攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第96-97页 |
攻读硕士学位期间所参与项目 | 第97-98页 |
致谢 | 第98页 |