| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 碳纳米管的结构 | 第10-12页 |
| 1.2 碳纳米管的特性 | 第12-13页 |
| 1.2.1 力学性能 | 第12页 |
| 1.2.2 热学性能 | 第12页 |
| 1.2.3 电学性能 | 第12-13页 |
| 1.2.4 场发射特性 | 第13页 |
| 1.3 碳纳米管的制备方法 | 第13-17页 |
| 1.3.1 电弧放电法 | 第13-15页 |
| 1.3.2 激光蒸发法 | 第15页 |
| 1.3.3 催化裂解法（CVD 法） | 第15-17页 |
| 1.4 碳纳米管的纯化 | 第17-19页 |
| 1.4.1 离心和微孔过滤 | 第17页 |
| 1.4.2 空间排阻色谱法 | 第17-18页 |
| 1.4.3 气相氧化法 | 第18页 |
| 1.4.4 液相氧化法 | 第18页 |
| 1.4.5 电化学氧化法 | 第18-19页 |
| 1.5 碳纳米管的分散 | 第19页 |
| 1.6 碳纳米管的表面功能化修饰 | 第19-21页 |
| 1.6.1 有机共价化学修饰 | 第20-21页 |
| 1.6.2 有机非共价化学修饰 | 第21页 |
| 1.7 本文的结构安排 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 碳纳米管的纯化和分散性研究 | 第25-37页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 碳纳米管的纯化研究 | 第25-29页 |
| 2.2.1 样品的制备 | 第25页 |
| 2.2.2 氧气氧化分析 | 第25-27页 |
| 2.2.3 硝酸处理 | 第27-28页 |
| 2.2.4 混酸处理 | 第28-29页 |
| 2.3 碳纳米管的分散性能研究 | 第29-35页 |
| 2.3.1 碳纳米管的表面处理过程 | 第30页 |
| 2.3.2 实验结果与分析 | 第30-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 微细尺度传热和碳纳米管的径向热导率 | 第37-53页 |
| 3.1 引言 | 第37-39页 |
| 3.1.1 微尺度下物质的传热规律 | 第37-38页 |
| 3.1.2 微细尺度下物质导热系数的测量方法 | 第38-39页 |
| 3.2 微细尺度下空气的导热系数测量 | 第39-46页 |
| 3.2.1 实验原理 | 第39-42页 |
| 3.2.2 系统准确性和稳定性测试 | 第42-43页 |
| 3.2.3 不同厚度空气层的热导率的测量及结果分析 | 第43-46页 |
| 3.3 碳纳米管热导率的测量方法 | 第46-49页 |
| 3.3.1 3ω方法 | 第46-47页 |
| 3.3.2 脉冲光热反射法 | 第47-48页 |
| 3.3.3 分子动力学方法 | 第48-49页 |
| 3.4 碳纳米管径向热导率的测量 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 碳纳米管铜基复合材料的制备 | 第53-64页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 碳纳米管和金属的复合方法 | 第53-55页 |
| 4.2.1 物理气相沉积 | 第53-54页 |
| 4.2.2 自组装方法 | 第54页 |
| 4.2.3 浸渍法 | 第54页 |
| 4.2.4 化学镀 | 第54-55页 |
| 4.2.5 电沉积 | 第55页 |
| 4.3 碳纳米管铜基复合材料的制备 | 第55-62页 |
| 4.3.1 碳纳米管的镀前处理 | 第55-57页 |
| 4.3.2 化学镀铜 | 第57-60页 |
| 4.3.3 电沉积 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 碳纳米管场效应晶体管的制备及性能改善 | 第64-81页 |
| 5.1 引言 | 第64-65页 |
| 5.2 从MOSFET 到CNTFET 的发展 | 第65-67页 |
| 5.2.1 传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） | 第65-66页 |
| 5.2.2 使用CNT 制作场效应晶体管的重要性和优越性 | 第66-67页 |
| 5.3 碳纳米管场效应晶体管的结构设计及选材 | 第67-68页 |
| 5.3.1 源漏电极的参数设计 | 第67-68页 |
| 5.3.2 源漏电极的选材 | 第68页 |
| 5.4 CNTFET 的结构类型 | 第68-71页 |
| 5.4.1 背栅结构的碳纳米管场效应晶体管（bottom gated CNTFET） | 第68-69页 |
| 5.4.2 优化的背栅结构的CNTFET (optimized bottom_gated CNTFET) | 第69-70页 |
| 5.4.3 顶栅结构的 CNTFET( top-gated CNTFET) | 第70-71页 |
| 5.5 CNTFET 的沟道的制备工艺 | 第71-73页 |
| 5.5.1 AFM 探针操控 | 第71-72页 |
| 5.5.2 交流介电泳方法 | 第72-73页 |
| 5.5.3 CVD 原位生长 | 第73页 |
| 5.6 制备过程中存在的问题和解决的办法 | 第73-77页 |
| 5.6.1 金属性 SWCNT 的烧除 | 第73-74页 |
| 5.6.2 较大的接触电阻 | 第74-75页 |
| 5.6.3 滞后效应 | 第75-76页 |
| 5.6.4 p 型 CNTFET 的转化 | 第76-77页 |
| 5.7 CNTFET 的制作 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第82页 |
