| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| 1.1 波分复用技术(ＷＤＭ) | 第7-8页 |
| 1.2 列阵波导光栅波分复用器的研究进展 | 第8-10页 |
| 1.3 列阵波导光栅波分复用器的应用 | 第10-15页 |
| 1.3.1 光分束器／路由器 | 第10-11页 |
| 1.3.2 波长选择开关 | 第11-12页 |
| 1.3.3 光上路／下路复用器(ＡＤＭ) | 第12-14页 |
| 1.3.4 多频激光器 | 第14-15页 |
| 第二章 列阵波导光栅(ＡＷＧ)波分复用器的原理和主要特性 | 第15-25页 |
| 2.1 ＡＷＧ的基本结构 | 第15-16页 |
| 2.2 ＡＷＧ的工作原理 | 第16-19页 |
| 2.3 ＡＷＧ 的相位误差补偿 | 第19-20页 |
| 2.4 ＡＷＧ的温度误差补偿 | 第20-22页 |
| 2.5 ＡＷＧ 的波长响应平坦化 | 第22-23页 |
| 2.6 ＡＷＧ 的双折射控制 | 第23-25页 |
| 第三章 列阵波导光栅(ＡＷＧ)复用器的制作工艺 | 第25-40页 |
| 3.1 硅基二氧化硅材料制备 | 第25-28页 |
| 3.1.1 火焰水解法基本原理 | 第26页 |
| 3.1.2 火焰水解法淀积二氧化硅波导材料实验 | 第26-27页 |
| 3.1.3 高温致密化处理 | 第27-28页 |
| 3.2 掺杂二氧化锗的二氧化硅厚膜制备 | 第28-29页 |
| 3.3 二氧化硅膜性能分析 | 第29-36页 |
| 3.3.1 在高温管式电阻炉中退火处理后的薄膜性能分析 | 第29-33页 |
| 3.3.2 在高温电阻炉中和真空炉中退火处理后的薄膜性能分析比较 | 第33-36页 |
| 3.4 掺杂二氧化锗的二氧化硅膜的性能分析 | 第36-40页 |
| 第四章 紫外光诱导 ＧｅＯ2 ＳｉＯ2膜折射率变化特性研究 | 第40-50页 |
| 4.1 紫外光诱导ＧｅＯ2 ＳｉＯ2膜的折射率变化机制 | 第40-41页 |
| 4.2 紫外光诱导ＧｅＯ2 ＳｉＯ2膜折射率变化机制的应用 | 第41-43页 |
| 4.3 紫外光诱导ＧｅＯ2 ＳｉＯ2薄膜折射率变化的实验研究 | 第43-50页 |
| 4.3.1 紫外光诱导实验过程 | 第43-44页 |
| 4.3.2 紫外光照前后薄膜表面特征分析 | 第44-46页 |
| 4.3.3 紫外光照前后薄膜的特性分析 | 第46-50页 |
| 第五章 紫外写入列阵波导光栅器件基础研究 | 第50-60页 |
| 5.1 传统方法制作列阵波导光栅 | 第50-51页 |
| 5.2 紫外写入制作列阵波导光栅 | 第51-55页 |
| 5.2.1 实验步骤及流程图 | 第51-53页 |
| 5.2.2 紫外写入法制作的 ＡＷＧ 器件优化 | 第53-54页 |
| 5.2.3 实验中面临的主要问题 | 第54-55页 |
| 5.3 紫外写入制作平面波导光栅 | 第55-60页 |
| 结论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 中文摘要 | 第69-73页 |
| 英文摘要 | 第73页 |
