| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 单层MoS_2的性质 | 第11-19页 |
| 1.2 单层MoS_2的制备 | 第19-25页 |
| 1.3 单层MoS_2光、电器件的研究进展 | 第25-29页 |
| 1.4 本文的工作 | 第29-31页 |
| 2. 部分边缘氢化的MoS_2纳米带异质结的自旋输运性质 | 第31-45页 |
| 2.1 异质结的研究背景 | 第31-33页 |
| 2.2 部分边缘氢化的MoS_2纳米带异质结模型与计算方法 | 第33-35页 |
| 2.3 计算结果及分析 | 第35-44页 |
| 2.4 小结 | 第44-45页 |
| 3. 锯齿型MoS_2纳米带的巨磁阻效应 | 第45-62页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 具有磁阻效应的MoS_2纳米带模型与计算方法 | 第46-47页 |
| 3.3 计算结果及分析 | 第47-57页 |
| 3.4 其他边缘结构的锯齿型MoS_2纳米带的输运性质 | 第57-60页 |
| 3.5 结论 | 第60-62页 |
| 4. 铼掺杂的扶手椅型MoS_2纳米带的电、磁性质 | 第62-87页 |
| 4.1 外部因素对单层MoS_2电子结构的调节作用 | 第62-69页 |
| 4.2 铼掺杂的MoS_2纳米带的研究背景 | 第69-70页 |
| 4.3 铼掺杂的扶手椅型MoS_2纳米带模型及计算方法 | 第70-71页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第71-86页 |
| 4.5 结论 | 第86-87页 |
| 5. 全文小结及展望 | 第87-89页 |
| 5.1 全文小结 | 第87页 |
| 5.2 下一步的工作展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-102页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第102页 |
