摘要 | 第4-7页 |
ABSTRACT | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第13-46页 |
1.1 微结构光纤 | 第13-20页 |
1.1.1 从传统光纤到微结构光纤 | 第13-15页 |
1.1.2 微结构光纤的传导机制 | 第15-17页 |
1.1.3 微结构光纤的特性及应用 | 第17-20页 |
1.2 表面等离子体激元 | 第20-30页 |
1.2.1 突破衍射极限的表面等离子体激元 | 第20-25页 |
1.2.2 表面等离子体激元的激发方式 | 第25-27页 |
1.2.3 表面等离子体激元的应用 | 第27-30页 |
1.3 半导体纳米线 | 第30-38页 |
1.3.1 一维纳米半导体材料-半导体纳米线 | 第30-32页 |
1.3.2 半导体纳米线异质结构 | 第32-35页 |
1.3.3 半导体纳米线的应用 | 第35-38页 |
1.4 本论文的研究工作 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-46页 |
第二章 基于微结构光纤的微纳光子学器件 | 第46-64页 |
2.1 基于微结构光纤的表面等离子体激元共振传感器 | 第46-51页 |
2.1.1 前言 | 第46页 |
2.1.2 基于微结构光纤的SPR传感器结构和模场分布 | 第46-48页 |
2.1.3 影响SPR激发的因素及传感器灵敏度的分析 | 第48-51页 |
2.2 基于受激布里渊散射的微结构光纤慢光延迟器件 | 第51-55页 |
2.2.1 前言 | 第51-52页 |
2.2.2 慢光延迟的实验装置 | 第52-54页 |
2.2.3 实验结果与讨论 | 第54-55页 |
2.3 基于纳米光纤和GaAs纳米线的色散补偿器件 | 第55-59页 |
2.3.1 前言 | 第55-56页 |
2.3.2 色散补偿器件结构与数值计算 | 第56-57页 |
2.3.3 计算结果与讨论 | 第57-59页 |
2.4 本章小结 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
第三章 表面等离子体激元微纳光子学器件 | 第64-107页 |
3.1 基于双根银纳米线间隙模式的表面等离子体激元波导 | 第64-71页 |
3.1.1 前言 | 第64页 |
3.1.2 SPP波导结构与数值计算 | 第64-65页 |
3.1.3 计算结果与讨论 | 第65-71页 |
3.2 非对称混合表面等离子体激元波导 | 第71-76页 |
3.2.1 前言 | 第71-72页 |
3.2.2 AHP波导结构与数值计算 | 第72-73页 |
3.2.3 计算结果与讨论 | 第73-76页 |
3.3 厘米级传输长度的非对称混合表面等离子体激元波导 | 第76-84页 |
3.3.1 前言 | 第76-77页 |
3.3.2 AHPMW波导结构与数值计算 | 第77-78页 |
3.3.3 计算结果与讨论 | 第78-84页 |
3.4 基于非对称混合结构的表面等离子体激元纳米激光器 | 第84-91页 |
3.4.1 前言 | 第84-85页 |
3.4.2 纳米激光器结构与数值计算 | 第85-86页 |
3.4.3 计算结果与讨论 | 第86-91页 |
3.5 基于圆形谐振腔的表面等离子体激元传感器和滤波器 | 第91-97页 |
3.5.1 前言 | 第91页 |
3.5.2 器件结构与数值计算 | 第91-92页 |
3.5.3 计算结果与讨论 | 第92-97页 |
3.6 本章小结 | 第97-99页 |
参考文献 | 第99-107页 |
第四章 半导体纳米线激光器 | 第107-121页 |
4.1 倏逝波泵浦的室温单模GaAs/AlGaAs纳米线激光器 | 第107-112页 |
4.1.1 前言 | 第107-108页 |
4.1.2 GaAs/AlGaAs纳米线激光器的生长过程和实验装置 | 第108-110页 |
4.1.3 实验结果与讨论 | 第110-112页 |
4.2 基于Purcell效应的GaAs/AlGaAs纳米线的自发与受激辐射增强 | 第112-117页 |
4.2.1 前言 | 第112-113页 |
4.2.2 器件制备与实验装置 | 第113-114页 |
4.2.3 理论计算 | 第114-115页 |
4.2.4 实验结果与讨论 | 第115-117页 |
4.3 本章小结 | 第117-118页 |
参考文献 | 第118-121页 |
第五章 总结 | 第121-125页 |
缩略语 | 第125-127页 |
致谢 | 第127-129页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第129-130页 |