| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯的结构及性质 | 第10-12页 |
| 1.3 石墨烯的应用前景 | 第12-17页 |
| 1.3.1 在电子器件方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.3.2 在光电器件方面的应用 | 第13-15页 |
| 1.3.3 在传感器方面的应用 | 第15-16页 |
| 1.3.4 在复合材料方面的应用 | 第16-17页 |
| 1.4 石墨烯的制备方法 | 第17-22页 |
| 1.4.1 机械剥离法 | 第17页 |
| 1.4.2 SiC外延生长法 | 第17-18页 |
| 1.4.3 氧化石墨-还原法 | 第18-19页 |
| 1.4.4 化学气相沉积法（CVD法） | 第19页 |
| 1.4.5 离子注入法 | 第19-22页 |
| 第2章 MEVVA离子注入技术 | 第22-28页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 离子注入技术 | 第22-23页 |
| 2.3 MEVVA离子注入机 | 第23-27页 |
| 2.3.1 MEVVA IIA-H离子源 | 第24-25页 |
| 2.3.2 高压仓及高压电源 | 第25-26页 |
| 2.3.3 控制柜 | 第26-27页 |
| 2.4 管式退火炉 | 第27页 |
| 2.5 其他实验仪器及药品 | 第27-28页 |
| 第3章 MEVVA离子注入合成石墨烯 | 第28-44页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 MEVVA离子注入法实验初步工艺流程 | 第28-41页 |
| 3.2.1 试验样品镍箔衬底的选取 | 第30-31页 |
| 3.2.2 试验退火氛围的选取 | 第31-34页 |
| 3.2.3 试验退火温度的选取 | 第34-38页 |
| 3.2.4 试验最优化的条件 | 第38-41页 |
| 3.3 拉曼光谱对离子注入法机理的初步探究 | 第41-42页 |
| 3.4 结论 | 第42-44页 |
| 第4章 实验表征对离子注入法合成石墨烯机理探究 | 第44-60页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 MEVVA离子注入法制备实验对比样品 | 第44-46页 |
| 4.3 扫描电子显微镜（SEM）表征 | 第46-48页 |
| 4.4 激光显微拉曼面扫描（Mro-Raman）表征 | 第48-49页 |
| 4.5 电子能谱仪（EDX）表征 | 第49-53页 |
| 4.6 X射线衍射仪（XRD）表征 | 第53-55页 |
| 4.7 电子背散射衍射（EBSD）表征 | 第55-57页 |
| 4.8 离子注入合成石墨烯机理探究 | 第57-59页 |
| 4.9 结论 | 第59-60页 |
| 第5章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 结论 | 第60-61页 |
| 5.2 进一步工作的方向 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |