| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 前言 | 第14-34页 |
| 1.1 本论文相关的理论基础 | 第14-24页 |
| 1.1.1 氧化锌晶格结构、缺陷类型及能带结构 | 第14-16页 |
| 1.1.2 ZnO压敏陶瓷电阻 | 第16-22页 |
| 1.1.3 掺钛氧化锌透明导电薄膜(TZO薄膜) | 第22-24页 |
| 1.2 与本论文相关的研究背景 | 第24-29页 |
| 1.2.1 ZnO压敏电阻的研究现状 | 第24-26页 |
| 1.2.2 TZO薄膜研究现状 | 第26-29页 |
| 1.3 本论文的研究思路及研究内容 | 第29-32页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第32-34页 |
| 第二章 样品制备方法及其表征 | 第34-51页 |
| 2.1 掺Ti氧化锌压敏陶瓷制备方法及表征 | 第34-36页 |
| 2.1.1 掺Ti氧化锌压敏陶瓷制备方法 | 第34-35页 |
| 2.1.2 氧化锌压敏陶瓷表征方法 | 第35-36页 |
| 2.2 掺Ti氧化锌陶瓷靶材制备方法及表征 | 第36-39页 |
| 2.2.1 掺Ti氧化锌陶瓷靶材制备方法 | 第37页 |
| 2.2.2 掺Ti氧化锌陶瓷靶材表征方法 | 第37-39页 |
| 2.3 掺Ti氧化锌薄膜制备方法及表征 | 第39-47页 |
| 2.3.1 掺Ti氧化锌薄膜的制备方法 | 第39-42页 |
| 2.3.2 掺Ti氧化锌薄膜的性能表征方法 | 第42-47页 |
| 2.4 氧化铋陶瓷靶材和薄膜制备方法及表征 | 第47-48页 |
| 2.4.1 氧化铋陶瓷靶材的制备方法及表征 | 第47-48页 |
| 2.4.2 Bi_2O_3薄膜的制备方法及表征 | 第48页 |
| 2.5 n-TZO/p-Bi_2O_3复合膜和n-TZO/p-Bi_2O_3/n-TZO压敏膜的制备及表征 | 第48-50页 |
| 2.5.1 n-TZO/p-Bi_2O_3薄膜异质结的制备 | 第48-49页 |
| 2.5.2 n-TZO/p-Bi_2O_3/n-TZO压敏薄膜的制备 | 第49页 |
| 2.5.3 n-TZO/p-Bi_2O_3薄膜异质结及n-TZO/p-Bi_2O_3/n-TZO压敏膜的性能表征 | 第49-50页 |
| 2.6 本论文的实验药品及实验仪器 | 第50-51页 |
| 第三章 TiO_2掺杂对氧化锌压敏陶瓷的微结构及电性能的影响研究 | 第51-57页 |
| 3.1 前言 | 第51页 |
| 3.2 实验 | 第51-53页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第51-52页 |
| 3.2.2 正电子湮没寿命谱测量 | 第52-53页 |
| 3.2.3 相关电性能测试 | 第53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-56页 |
| 3.3.1 正电子测试结果分析 | 第53-55页 |
| 3.3.2 伏安特性测试结果分析 | 第55-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 靶材工艺对TZO薄膜微结构及光电性能的影响研究 | 第57-81页 |
| 4.1 前言 | 第57-58页 |
| 4.2 靶材中TiO_2掺杂比例对TZO薄膜性能影响 | 第58-65页 |
| 4.2.1 TiO_2掺杂比例对薄膜的微结构的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.2 TiO_2掺杂比例对薄膜光学性能的影响 | 第60-62页 |
| 4.2.3 TiO_2掺杂比例对薄膜电学性能的影响 | 第62-64页 |
| 4.2.4 TiO_2掺杂比例对薄膜性能影响小节 | 第64-65页 |
| 4.3 靶材烧结温度对TZO薄膜性能的影响 | 第65-75页 |
| 4.3.1 靶材烧结温度对靶材形貌及微结构的影响 | 第65-68页 |
| 4.3.2 靶材烧结温度对TZO薄膜形貌及微结构的影响 | 第68-71页 |
| 4.3.3 靶材烧结温度对TZO光学性能的影响 | 第71-72页 |
| 4.3.4 靶材烧结温度对TZO电学性能的影响 | 第72-75页 |
| 4.3.5 靶材烧结温度对薄膜性能影响小节 | 第75页 |
| 4.4 靶材保温时间对TZO薄膜性能的影响 | 第75-81页 |
| 4.4.1 靶材保温时间对TZO薄膜微结构的影响 | 第75-77页 |
| 4.4.2 靶材保温时间对TZO薄膜光学性能的影响 | 第77-79页 |
| 4.4.3 靶材保温时间对TZO薄膜电学性能的影响 | 第79-80页 |
| 4.4.4 靶材保温时间对TZO薄膜性能影响小节 | 第80-81页 |
| 第五章 溅射工艺对TZO薄膜微结构及光电性能的影响研究 | 第81-94页 |
| 5.1 前言 | 第81页 |
| 5.2 溅射压强对薄膜性能的影响 | 第81-86页 |
| 5.2.1 溅射压强对薄膜微结构的影响 | 第81-84页 |
| 5.2.2 溅射压强对薄膜光性能的影响 | 第84-85页 |
| 5.2.3 溅射压强对薄膜电性能的影响 | 第85-86页 |
| 5.2.4 溅射压强对薄膜性能影响小节 | 第86页 |
| 5.3 溅射气氛对TZO薄膜性能的影响 | 第86-94页 |
| 5.3.1 溅射气氛对薄膜微结构的影响 | 第87-89页 |
| 5.3.2 溅射气氛对薄膜光学性能的影响 | 第89-90页 |
| 5.3.3 溅射气氛对薄膜电学性能的影响 | 第90-92页 |
| 5.3.4 溅射气氛对薄膜性能影响小节 | 第92-94页 |
| 第六章 退火气氛对TZO薄膜微结构及光电性能的影响研究 | 第94-103页 |
| 6.1 前言 | 第94页 |
| 6.2 实验 | 第94-95页 |
| 6.2.1 靶材制备 | 第94页 |
| 6.2.2 薄膜制备: | 第94-95页 |
| 6.2.3 薄膜退火: | 第95页 |
| 6.2.4 薄膜微结构及光电性能测试 | 第95页 |
| 6.3 结果及分析 | 第95-102页 |
| 6.3.1 退火气氛对薄膜微结构的影响 | 第95-97页 |
| 6.3.2 退火气氛对薄膜光学性能的影响 | 第97-99页 |
| 6.3.3 退火气氛对薄膜电学性能的影响 | 第99-102页 |
| 6.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 第七章 n-TZO/p-Bi_2O_3/n-TZO复合膜的制备及压敏性能的研究 | 第103-115页 |
| 7.1 前言 | 第103-104页 |
| 7.2 实验 | 第104-105页 |
| 7.2.1 靶材制备 | 第104页 |
| 7.2.2 复合薄膜制备 | 第104-105页 |
| 7.2.3 复合薄膜的性能测试 | 第105页 |
| 7.3 实验结果与讨论 | 第105-113页 |
| 7.3.1 Bi_2O_3靶材及薄膜微观形貌及微结构特征 | 第105-109页 |
| 7.3.2 薄膜的电性能测试分析 | 第109-113页 |
| 7.4 本章小结 | 第113-115页 |
| 第八章 总结与展望 | 第115-118页 |
| 8.1 总结 | 第115-117页 |
| 8.2 展望 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 攻读学博士学位期间发表论文情况 | 第129页 |
