| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 柔性锂电池负极材料概述 | 第10-16页 |
| 1.2.1 嵌入式负极材料 | 第10-13页 |
| 1.2.2 合金化反应式负极材料 | 第13-14页 |
| 1.2.3 转换反应式负极材料 | 第14-16页 |
| 1.3 一维纳米氧化物的生长机制 | 第16-18页 |
| 1.4 一维 Co_3O_4纳米线阵列电极材料 | 第18-22页 |
| 1.5 本文研究目的、意义和内容 | 第22-24页 |
| 1.5.1 研究目的和意义 | 第22页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 试验原材料及方法 | 第24-29页 |
| 2.1 试验用原材料及仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 材料制备方法 | 第25-27页 |
| 2.2.1 碳布基体材料的前期处理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 水热及退火工艺 | 第26-27页 |
| 2.2.3 ALD 原子层沉积表面改性 | 第27页 |
| 2.2.4 浸渍法包覆碳表面改性 | 第27页 |
| 2.3 分析表征方法 | 第27-29页 |
| 2.3.1 物相表征 | 第27页 |
| 2.3.2 SEM 表征 | 第27-28页 |
| 2.3.3 TEM 表征 | 第28页 |
| 2.3.4 电化学性能测试 | 第28-29页 |
| 第3章 Co_3O_4纳米线阵列/碳布柔性电极的制备工艺研究 | 第29-43页 |
| 3.1 不同水热工艺参数对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第29-35页 |
| 3.1.1 物相分析和形貌表征 | 第29-32页 |
| 3.1.2 水热反应温度对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.3 水热反应时间对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第34-35页 |
| 3.2 不同退火工艺参数对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.1 退火温度对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.2 退火升温速率对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第36页 |
| 3.3 不同成分配比对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第36-42页 |
| 3.3.1 不同 NH_4F 浓度对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 添加 NH_4Cl 对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 添加乙酸钴对 Co_3O_4纳米线阵列的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 Co_3O_4纳米线阵列/碳布柔性电极的电化学性能研究 | 第43-54页 |
| 4.1 充放电性能测试分析 | 第43-49页 |
| 4.1.1 恒流充放电测试 | 第43-46页 |
| 4.1.2 倍率性能测试 | 第46-49页 |
| 4.2 循环伏安测试分析 | 第49-51页 |
| 4.3 交流阻抗测试分析 | 第51-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 Co_3O_4纳米线阵列/碳布柔性电极表面改性 | 第54-64页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 ALD 沉积 SnO_2表面改性 | 第54-59页 |
| 5.2.1 ALD 沉积 SnO_2改性工艺 | 第54-56页 |
| 5.2.2 ALD 沉积 SnO_2改性后形貌和结构分析 | 第56页 |
| 5.2.3 ALD 沉积 SnO_2改性后电化学性能分析 | 第56-59页 |
| 5.3 浸渍法包覆碳表面改性 | 第59-63页 |
| 5.3.1 浸渍法包覆碳改性工艺 | 第59页 |
| 5.3.2 浸渍法包覆碳改性后形貌和结构分析 | 第59-60页 |
| 5.3.3 浸渍法包覆碳改性后电化学性能分析 | 第60-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
