| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-16页 |
| 1.1.1 红外探测应用简介 | 第10-12页 |
| 1.1.2 红外探测器发展历程 | 第12-15页 |
| 1.1.3 研究的目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外相关研究进展 | 第16-21页 |
| 1.2.1 InAs/GaSb Ⅱ 型超晶格红外探测器研究现状 | 第16-19页 |
| 1.2.2 InAs/GaSb 超晶格能带结构的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 材料制备与分析测试方法 | 第23-29页 |
| 2.1 Ⅱ 类超晶格分子束外延生长制备 | 第23-24页 |
| 2.2 Ⅱ 类 InAs/GaSb 超晶格单元红外探测器制备 | 第24-26页 |
| 2.2.1 双面对准光刻机 | 第24-25页 |
| 2.2.2 金属电子束蒸发 | 第25-26页 |
| 2.3 测试分析设备 | 第26-29页 |
| 2.3.1 双晶 X 射线衍射仪 | 第26页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第27-29页 |
| 第3章 Ⅱ 类超晶格探测器能带计算结果与分析 | 第29-38页 |
| 3.1 运用 k p 微扰方法分析半导体材料能带结构 | 第29-31页 |
| 3.2 运用 k p 微扰与包络函数模型求解 InAs/GaSb 超晶格能带结构 | 第31-35页 |
| 3.3 能带模拟运算结论与分析 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 InAs/GaSb 超晶格材料生长制备与性能表征 | 第38-49页 |
| 4.1 InAs/GaSb 超晶格材料结构设计与生长制备 | 第38-40页 |
| 4.2 超晶格材料的结构质量及光学性能表征分析 | 第40-48页 |
| 4.2.1 短波红外 InAs/GaSb 超晶格 | 第40-41页 |
| 4.2.2 中波红外 InAs/GaSb 超晶格 | 第41-43页 |
| 4.2.3 长波红外 InAs/GaSb 超晶格 | 第43-44页 |
| 4.2.4 外延膜厚度与质量的扫描电子显微镜与原子力显微镜分析 | 第44-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 Ⅱ 型超晶格探测器件制备及光电性能研究 | 第49-72页 |
| 5.1 单元探测器件制备工艺研究 | 第49-64页 |
| 5.1.1 单元探测器件制备流程 | 第50-51页 |
| 5.1.2 掩膜板图形的设计 | 第51-53页 |
| 5.1.3 腐蚀液配方的选择与腐蚀效果研究 | 第53-57页 |
| 5.1.4 欧姆接触的研究 | 第57-64页 |
| 5.2 探测器性能测试分析 | 第64-71页 |
| 5.2.1 红外探测器的优值 | 第64-67页 |
| 5.2.2 光响应谱测试 | 第67-69页 |
| 5.2.3 二类超晶格黑体响应率测试 | 第69-70页 |
| 5.2.4 二类超晶格暗电流谱测定与 R0A 分析 | 第70-71页 |
| 5.2.5 二类超晶格比探测率研究 | 第71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
