低碳氢化非晶碳化硅的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·宽禁带半导体材料简介 | 第9-22页 |
| ·常见宽禁带半导体材料及其发展简介 | 第9-22页 |
| ·碳化硅（SiC） | 第9-18页 |
| ·碳化硅的制备技术及其发展 | 第10-14页 |
| ·碳化硅在太阳电池中的应用及发展现状 | 第14-16页 |
| ·碳化硅的其他研究进展 | 第16-18页 |
| ·GaN 简介 | 第18-20页 |
| ·金刚石简介 | 第20-22页 |
| ·本论文的研究背景和意义 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 实验方法和设备 | 第27-32页 |
| ·样品的制备 | 第27-29页 |
| ·制备过程 | 第27页 |
| ·PECVD 系统 | 第27-29页 |
| ·样品测试 | 第29-31页 |
| ·主要研究内容 | 第29页 |
| ·主要测试方法 | 第29-31页 |
| ·XRD 测试 | 第29-30页 |
| ·红外测试 | 第30页 |
| ·可见光吸收测试 | 第30页 |
| ·薄膜发光性能测试 | 第30页 |
| ·形貌测试 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 低碳氢化非晶碳化硅的红外分析 | 第32-46页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·基本原理简介 | 第32-33页 |
| ·红外结果分析 | 第33-41页 |
| ·理论原理 | 第33-36页 |
| ·碳源比例对薄膜红外结构的影响 | 第36-41页 |
| ·温度对薄膜红外结构的影响 | 第41页 |
| ·薄膜沉积速率 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| ·碳化硅红外研究拓展 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第四章 薄膜的可见光吸收 | 第46-61页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·基本原理简介 | 第46-48页 |
| ·实验与结果分析 | 第48-58页 |
| ·薄膜的折射率n | 第50页 |
| ·薄膜的厚度d | 第50-51页 |
| ·薄膜的光学带隙 Eg | 第51-58页 |
| ·碳硅比例对薄膜光学带隙的影响 | 第54-56页 |
| ·温度对薄膜光学带隙的影响 | 第56-57页 |
| ·氢稀释率对薄膜光学带隙的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 光致发光和形貌分析 | 第61-72页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·实验结果与分析 | 第61-69页 |
| ·薄膜的光致发光 | 第61-66页 |
| ·碳源流量比例 R 对发光的影响 | 第63-64页 |
| ·氢稀释率对薄膜光致发光的影响 | 第64-66页 |
| ·AFM 形貌分析 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-75页 |
| ·总结 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
