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CsI综合光电发射特性的模拟分析与研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第1章 绪论第12-32页
    1.1 高速摄影技术第12页
    1.2 惯性约束聚变第12-21页
        1.2.1 惯性约束聚变简介第12-16页
        1.2.2 惯性约束聚变国内外状况第16-18页
        1.2.3 惯性约束聚变诊断技术第18-21页
    1.3 X射线条纹相机第21-25页
        1.3.1 X射线条纹相机的工作原理第21-22页
        1.3.2 X射线条纹相机的发展概况第22-25页
    1.4 X射线条纹相机光电阴极第25-29页
        1.4.1 条纹相机中CsI光电阴极的结构第26-27页
        1.4.2 CsI光电阴极的性能研究第27-29页
    1.5 本文研究内容第29-31页
        1.5.1 研究内容的提出第29-30页
        1.5.2 研究方法的选择第30-31页
    1.6 本文主要工作成果第31-32页
第2章 光电子发射模型及其理论基础第32-50页
    2.1 光电子发射基本概念第33-34页
        2.1.1 光吸收长度第33-34页
        2.1.2 散射截面第34页
    2.2 光致电子发射第34-37页
        2.2.1 紫外光第34-36页
        2.2.2 X射线第36-37页
    2.3 自由电子传输第37-48页
        2.3.1 非弹性散射第38-41页
        2.3.2 弹性散射第41-44页
        2.3.3 声子散射第44-47页
        2.3.4 轫致辐射第47-48页
        2.3.5 原子退激第48页
    2.4 电子从CsI光电阴极表面出射第48-50页
第3章 蒙特卡罗程序的基本近似和模拟流程第50-60页
    3.1 蒙特卡罗程序的基本近似第50-51页
    3.2 蒙特卡罗模拟流程第51-60页
        3.2.1 光致电子发射第53-57页
        3.2.2 自由电子传输第57-59页
        3.2.3 自由电子出射第59-60页
第4章 蒙特卡罗程序第60-64页
    4.1 程序平台的选择第60-61页
    4.2 本文MATLAB程序的分类第61-64页
第5章 CsI综合光电发射特性的模拟结果第64-81页
    5.1 量子产额第64-67页
    5.2 二次电子的出射能量分布第67-70页
    5.3 二次电子的出射时间分布第70-73页
    5.4 二次电子的出射位置分布第73-74页
    5.5 二次电子的出射角度分布第74-76页
    5.6 二次电子的高能电子份额第76-78页
    5.7 光电发射的微分特性第78-79页
    5.8 模拟结果小结第79-81页
第6章 X射线条纹相机的定量测量研究第81-89页
    6.1 CsI光电阴极的蒸镀平台第82-83页
    6.2 CsI光电阴极的表面形貌测试第83-85页
    6.3 对光电阴极表面形貌建模第85-86页
    6.4 蒙特卡罗程序模拟第86-87页
    6.5 解决定量测量问题的方案流程第87页
    6.6 本章小结第87-89页
第7章 总结与展望第89-91页
    7.1. 总结第89页
    7.2. 展望第89-91页
参考文献第91-99页
致谢第99-100页
攻读博士学位期间的研究成果第100页

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