| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 磁场分类 | 第13-17页 |
| 1.2.1 稳态磁场 | 第14页 |
| 1.2.2 非稳态磁场 | 第14-17页 |
| 1.2.2.1 破坏性磁场 | 第14-15页 |
| 1.2.2.2 非破坏性脉冲磁场 | 第15-17页 |
| 1.2.2.2.1 脉冲磁场发展史 | 第15-16页 |
| 1.2.2.2.2 脉冲磁场原理及困难 | 第16-17页 |
| 1.3 脉冲磁场的广泛应用 | 第17页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验设备的搭建 | 第19-30页 |
| 2.1 测量磁致应变的方法 | 第19-24页 |
| 2.1.1 直接测量法 | 第19-23页 |
| 2.1.1.1 应变仪方法 | 第19-20页 |
| 2.1.1.2 电容膨胀计法 | 第20-21页 |
| 2.1.1.2.1 三端电容法 | 第20-21页 |
| 2.1.1.2.2 悬臂电容法 | 第21页 |
| 2.1.1.3 光学法 | 第21-23页 |
| 2.1.1.3.1 光纤膨胀计法 | 第21-22页 |
| 2.1.1.3.2 悬臂光学法 | 第22页 |
| 2.1.1.3.3 光栅光纤法(FBG) | 第22-23页 |
| 2.1.2 间接测量法 | 第23-24页 |
| 2.1.2.1 铁磁共振法（FMR） | 第23-24页 |
| 2.1.2.2 小角度旋转磁化法(SAMR) | 第24页 |
| 2.2 本文实验方法 | 第24-29页 |
| 2.2.1 设备的搭建 | 第24-28页 |
| 2.2.2 设备的调试及校准 | 第28-29页 |
| 2.2.2.1 校准 | 第28页 |
| 2.2.2.2 校准的结果 | 第28-29页 |
| 2.3 本章结论 | 第29-30页 |
| 第三章 电磁成形技术下的磁致应变 | 第30-36页 |
| 3.1 前言 | 第30页 |
| 3.2 样品的制备 | 第30-31页 |
| 3.3 试验结果与分析 | 第31-35页 |
| 3.4 本章总结 | 第35-36页 |
| 第四章 脉冲磁场下FE_(83)GA_(17)单晶测量 | 第36-52页 |
| 4.1 磁致伸缩研究背景 | 第36-40页 |
| 4.1.1 前言 | 第36-37页 |
| 4.1.2 磁致伸缩的来源 | 第37-38页 |
| 4.1.3 磁致伸缩的理论计算 | 第38-39页 |
| 4.1.4 磁致伸缩的测量 | 第39页 |
| 4.1.5 磁致伸缩材料的应用 | 第39-40页 |
| 4.2 磁畴理论 | 第40-42页 |
| 4.2.1 磁畴形成的根本原因 | 第40-41页 |
| 4.2.2 磁畴与磁致伸缩的联系 | 第41-42页 |
| 4.3 脉冲磁场下FE_(83)GA_(17)单晶的探究 | 第42-52页 |
| 4.3.1 引言 | 第42页 |
| 4.3.2 样品制备 | 第42页 |
| 4.3.3 测量系统的设计 | 第42-45页 |
| 4.3.4 试验结果与分析 | 第45-50页 |
| 4.3.5 本章总结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |