| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 VO_2材料的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 VO_2的相变机理介绍 | 第9-16页 |
| 1.3 VO_2相转变的激励方式及其机理介绍 | 第16-18页 |
| 1.4 VO_2相变性质的应用前景 | 第18-21页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 理论基础 | 第22-32页 |
| 2.1 多粒子问题 | 第23-24页 |
| 2.2 解决多粒子问题的早期尝试 | 第24-28页 |
| 2.2.1 自由电子模型 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Hartree和Hartree-Fock方法 | 第25页 |
| 2.2.3 Thomas-Fermi理论 | 第25-26页 |
| 2.2.4 多电子体系近似方法 | 第26-28页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第28-29页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第28-29页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第29页 |
| 2.4 LDA和GGA近似处理方法 | 第29-30页 |
| 2.5 赝势平面波方法 | 第30页 |
| 2.6 Materials Studio介绍 | 第30-32页 |
| 第3章 VO_2块材料相变特性及氧空位缺陷的影响研究 | 第32-49页 |
| 3.1 单斜相（M1相）VO_2块材料相变特性及氧空位的影响研究 | 第32-37页 |
| 3.1.1 M1相VO_2块材料相变性质计算 | 第32页 |
| 3.1.2 氧空位浓度对M1相VO_2块材料电学性质的影响 | 第32-35页 |
| 3.1.3 氧空位浓度对M1相VO_2块材料光学性质的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 四方金红石相（R相）VO_2块材料相变特性及氧空位的影响研究 | 第37-46页 |
| 3.2.1 R相VO_2块材料相变性质计算方法 | 第37-38页 |
| 3.2.2 氧空位浓度对R相VO_2块材料电学性质的影 | 第38-43页 |
| 3.2.3 氧空位浓度对R相VO_2块材料光学性质的影响 | 第43-46页 |
| 3.3 电子库伦排斥作用对VO_2相变性质的影响研究 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 VO_2纳米线相变特性及氧空位缺陷的影响研究 | 第49-59页 |
| 4.1 单斜相（M1相）VO_2纳米线相变特性及氧空位影响研究 | 第49-53页 |
| 4.1.1 M1相VO_2纳米线相变性质计算方法 | 第49-50页 |
| 4.1.2 氧空位浓度对M1相VO_2纳米线电学性质的影响 | 第50-52页 |
| 4.1.3 氧空位浓度对M1相VO_2纳米线光学性质的影响 | 第52-53页 |
| 4.2 四方金红石相（R相）VO_2纳米线相变特性及氧空位影响研究 | 第53-58页 |
| 4.2.1 R相VO_2纳米线相变性质计算方法 | 第53-55页 |
| 4.2.2 氧空位浓度对R相VO_2纳米线电学性质的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.3 氧空位浓度对R相VO_2纳米线光学性质的影响 | 第56-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
