| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第11-43页 |
| 1.1 超导物理的基本概念 | 第11-17页 |
| 1.2 超导材料的分类 | 第17-23页 |
| 1.3 压力下超导材料的相图 | 第23-26页 |
| 1.4 新超导材料的探索 | 第26-31页 |
| 参考文献 | 第31-43页 |
| 第二章 实验方法 | 第43-53页 |
| 2.1 晶体制备方法 | 第43-46页 |
| 2.1.1 固相反应法 | 第43-44页 |
| 2.1.2 助熔剂法 | 第44-45页 |
| 2.1.3 电弧炉法 | 第45页 |
| 2.1.4 气相输运法 | 第45-46页 |
| 2.2 物性测量方法 | 第46-49页 |
| 2.2.1 XRD结构分析 | 第46-47页 |
| 2.2.2 成分表征 | 第47-48页 |
| 2.2.3 电阻测量 | 第48页 |
| 2.2.4 磁化测量 | 第48-49页 |
| 2.3 高压测量 | 第49-51页 |
| 2.3.1 高压电阻 | 第49页 |
| 2.3.2 高压磁化 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第三章 Cr_2GaN中可能的自旋密度波研究 | 第53-61页 |
| 3.1 引言 | 第53页 |
| 3.2 Cr_2Ga_(1-x)Ge_xN的制备合成 | 第53-54页 |
| 3.3 锗掺杂以及压力对自旋密度波的影响 | 第54-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第四章 外尔半金属TaP中高压诱导的结构相变和超导电性 | 第61-77页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 常压及高压下TaP单晶的电阻输运测量 | 第61-68页 |
| 4.3 高压同步辐射XRD的结构测量 | 第68-70页 |
| 4.4 TaP高压相变与结构的理论分析 | 第70-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 第五章 压力下诱导的铋的超导电性的研究 | 第77-91页 |
| 5.1 引言 | 第77页 |
| 5.2 实验基本方法 | 第77-78页 |
| 5.3 铋在高压下的实验结果与讨论 | 第78-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第六章 全文总结 | 第91-93页 |
| 发表论文 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |