| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的应用研究 | 第12-14页 |
| 1.3.1 有机存储电路元件 | 第12页 |
| 1.3.2 有机平板显示技术 | 第12-13页 |
| 1.3.3 有机超导材料制备 | 第13页 |
| 1.3.4 气体传感器 | 第13-14页 |
| 1.3.5 有机激光 | 第14页 |
| 1.4 有机场效应晶体管存在的问题 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 有机场效应晶体管的结构、工作原理及材料 | 第17-27页 |
| 2.1 有机场效应晶体管的结构 | 第17-18页 |
| 2.2 有机场效应晶体管的基本原理及性能指标 | 第18-20页 |
| 2.2.1 OFET的基本原理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 OFET的性能参数 | 第19-20页 |
| 2.3 有机场效应晶体管的材料 | 第20-26页 |
| 2.3.3 有源层材料 | 第20-22页 |
| 2.3.4 绝缘层材料 | 第22-23页 |
| 2.3.5 电极材料 | 第23页 |
| 2.3.6 电极修饰层材料 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 衬底加热对有机场效应晶体管性能影响的研究 | 第27-35页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 基于有源层衬底加热的并五苯OFET的制备 | 第28-29页 |
| 3.3 有源层衬底加热OFET性能测试及结果分析 | 第29-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 Mo O3修饰电极对并五苯有机场效应晶体管性能影响的研究 | 第35-43页 |
| 4.1 引言 | 第35-36页 |
| 4.2 基于MoO_3电极修饰层的并五苯OFET制备 | 第36-37页 |
| 4.3 MoO_3修饰电极的并五苯OFET性能测试及结果分析 | 第37-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 碳酸铯、乙酸铯修饰电极对 P13 有机场效应晶体管性能影响的研究 | 第43-49页 |
| 5.1 引言 | 第43-44页 |
| 5.2 基于碳酸铯、乙酸铯修饰电极的P13-OFET制备 | 第44-45页 |
| 5.3 基于碳酸铯、乙酸铯修饰电极的P13-OFET性能测试及结果分析 | 第45-48页 |
| 5.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 6.1 全文总结 | 第49-50页 |
| 6.2 特色与创新 | 第50页 |
| 6.3 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
