氮化锌薄膜的制备研究
| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第14-18页 |
| 1.1 氮化物薄膜概述 | 第14-15页 |
| 1.2 氮化锌薄膜的研究现状 | 第15页 |
| 1.3 氮化锌薄膜的性质 | 第15-17页 |
| 1.3.1 氮化锌的结构性质 | 第15-16页 |
| 1.3.2 氮化锌的光学性质 | 第16-17页 |
| 1.3.3 氮化锌的电学性质 | 第17页 |
| 1.4 研究目的和主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜的制备方法及表征方法 | 第18-24页 |
| 2.1 氮化锌薄膜的制备方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 溅射法 | 第18页 |
| 2.1.2 热蒸发法 | 第18-19页 |
| 2.1.3 分子束外延(MBE) | 第19页 |
| 2.1.4 化学气相沉积法(CVD) | 第19-20页 |
| 2.2 氮化锌薄膜的表征方法 | 第20-24页 |
| 2.2.1 薄膜结构分析 | 第20-21页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌分析 | 第21-22页 |
| 2.2.3 薄膜组分分析 | 第22页 |
| 2.2.4 薄膜光学性质测试 | 第22-24页 |
| 第三章 MOCVD和磁控溅射的镀膜原理和步骤 | 第24-30页 |
| 3.1 MOCVD系统原理 | 第24-26页 |
| 3.2 MOCVD系统的特点 | 第26页 |
| 3.3 磁控溅射系统 | 第26-27页 |
| 3.4 薄膜的制备 | 第27-30页 |
| 3.4.1 实验前的准备工作 | 第27-28页 |
| 3.4.2 薄膜的制备流程 | 第28-30页 |
| 第四章 MOCVD制备氮化锌薄膜的研究 | 第30-43页 |
| 4.1 氮化锌薄膜结构性质研究 | 第30-37页 |
| 4.1.1 生长温度对薄膜结构性质的影响 | 第30-32页 |
| 4.1.2 反应室压强对薄膜结构性质的影响 | 第32-34页 |
| 4.1.3 V/Ⅱ族源流量比对薄膜结构性质的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.4 衬底对薄膜结构性质的影响 | 第35-37页 |
| 4.2 氮化锌薄膜光学性质研究 | 第37-42页 |
| 4.2.1 生长温度对薄膜光学性质的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.2 反应室压强对薄膜光学性质的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.3 V/Ⅱ族源流量比对薄膜光学性质的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.4 衬底对薄膜光学性质的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.5 氮化锌薄膜的PL谱 | 第41-42页 |
| 4.3 氮化锌薄膜的电学性质研究 | 第42-43页 |
| 第五章 磁控溅射制备氮化锌薄膜的研究 | 第43-62页 |
| 5.1 氮化锌薄膜结构性质研究 | 第43-57页 |
| 5.1.1 反应室压强对薄膜结构性质的影响 | 第43-45页 |
| 5.1.2 溅射功率对薄膜结构性质的影响 | 第45-47页 |
| 5.1.3 氮气和氩气比例对薄膜结构性质的影响 | 第47-49页 |
| 5.1.4 衬底对薄膜结构性质的影响 | 第49-52页 |
| 5.1.5 氮化锌薄膜的XPS测试 | 第52-57页 |
| 5.2 氮化锌薄膜光学性质研究 | 第57-61页 |
| 5.2.1 反应室压强对薄膜光学性质的影响 | 第57-58页 |
| 5.2.2 溅射功率对薄膜光学性质的影响 | 第58-59页 |
| 5.2.3 氮气和氩气比例对薄膜光学性质的影响 | 第59-60页 |
| 5.2.4 衬底对薄膜光学性质的影响 | 第60-61页 |
| 5.3 氮化锌薄膜电学性质研究 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 附件 | 第68页 |
