首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--薄膜物理学论文--薄膜的生长、结构和外延论文

氮化锌薄膜的制备研究

摘要第10-12页
ABSTRACT第12-13页
第一章 引言第14-18页
    1.1 氮化物薄膜概述第14-15页
    1.2 氮化锌薄膜的研究现状第15页
    1.3 氮化锌薄膜的性质第15-17页
        1.3.1 氮化锌的结构性质第15-16页
        1.3.2 氮化锌的光学性质第16-17页
        1.3.3 氮化锌的电学性质第17页
    1.4 研究目的和主要内容第17-18页
第二章 薄膜的制备方法及表征方法第18-24页
    2.1 氮化锌薄膜的制备方法第18-20页
        2.1.1 溅射法第18页
        2.1.2 热蒸发法第18-19页
        2.1.3 分子束外延(MBE)第19页
        2.1.4 化学气相沉积法(CVD)第19-20页
    2.2 氮化锌薄膜的表征方法第20-24页
        2.2.1 薄膜结构分析第20-21页
        2.2.2 薄膜表面形貌分析第21-22页
        2.2.3 薄膜组分分析第22页
        2.2.4 薄膜光学性质测试第22-24页
第三章 MOCVD和磁控溅射的镀膜原理和步骤第24-30页
    3.1 MOCVD系统原理第24-26页
    3.2 MOCVD系统的特点第26页
    3.3 磁控溅射系统第26-27页
    3.4 薄膜的制备第27-30页
        3.4.1 实验前的准备工作第27-28页
        3.4.2 薄膜的制备流程第28-30页
第四章 MOCVD制备氮化锌薄膜的研究第30-43页
    4.1 氮化锌薄膜结构性质研究第30-37页
        4.1.1 生长温度对薄膜结构性质的影响第30-32页
        4.1.2 反应室压强对薄膜结构性质的影响第32-34页
        4.1.3 V/Ⅱ族源流量比对薄膜结构性质的影响第34-35页
        4.1.4 衬底对薄膜结构性质的影响第35-37页
    4.2 氮化锌薄膜光学性质研究第37-42页
        4.2.1 生长温度对薄膜光学性质的影响第37-38页
        4.2.2 反应室压强对薄膜光学性质的影响第38-39页
        4.2.3 V/Ⅱ族源流量比对薄膜光学性质的影响第39-40页
        4.2.4 衬底对薄膜光学性质的影响第40-41页
        4.2.5 氮化锌薄膜的PL谱第41-42页
    4.3 氮化锌薄膜的电学性质研究第42-43页
第五章 磁控溅射制备氮化锌薄膜的研究第43-62页
    5.1 氮化锌薄膜结构性质研究第43-57页
        5.1.1 反应室压强对薄膜结构性质的影响第43-45页
        5.1.2 溅射功率对薄膜结构性质的影响第45-47页
        5.1.3 氮气和氩气比例对薄膜结构性质的影响第47-49页
        5.1.4 衬底对薄膜结构性质的影响第49-52页
        5.1.5 氮化锌薄膜的XPS测试第52-57页
    5.2 氮化锌薄膜光学性质研究第57-61页
        5.2.1 反应室压强对薄膜光学性质的影响第57-58页
        5.2.2 溅射功率对薄膜光学性质的影响第58-59页
        5.2.3 氮气和氩气比例对薄膜光学性质的影响第59-60页
        5.2.4 衬底对薄膜光学性质的影响第60-61页
    5.3 氮化锌薄膜电学性质研究第61-62页
第六章 结论第62-64页
参考文献第64-67页
致谢第67-68页
附件第68页

论文共68页,点击 下载论文
上一篇:基于放大转发协议的大规模MIMO中继系统的性能研究
下一篇:交通基础设施建设项目中政府与国有企业PPP合作模式研究