基于扩散法场发射阵列阴极稳流PN结技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 场致发射发展 | 第10-12页 |
| 1.3 场发射理论 | 第12-15页 |
| 1.3.1 金属场发射定量方程 | 第13-14页 |
| 1.3.2 半导体场发射定量方程 | 第14-15页 |
| 1.3.3 场发射电流密度的影响因素 | 第15页 |
| 1.4 课题研究意义 | 第15-17页 |
| 1.5 课题研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 PN结稳流结构设计与工艺模拟 | 第19-32页 |
| 2.1 杂质半导体与PN结 | 第19页 |
| 2.2 非平衡PN结 | 第19-21页 |
| 2.2.1 非平衡PN结的电流电压特性 | 第19-21页 |
| 2.2.2 影响实际PN结直流特性的因素 | 第21页 |
| 2.3 PN结稳流结构研究与设计 | 第21-25页 |
| 2.3.1 PN结稳流层结构与原理 | 第22-24页 |
| 2.3.2 PN结稳流层结构相关参数 | 第24-25页 |
| 2.4 Silvaco软件仿真 | 第25-31页 |
| 2.4.1 模拟实验设计 | 第25-27页 |
| 2.4.2 仿真实验结果及分析 | 第27-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 稳流PN结制备工艺研究与测试 | 第32-53页 |
| 3.1 半导体的杂质扩散 | 第32-36页 |
| 3.1.1 半导体中的扩散机制 | 第32-33页 |
| 3.1.2 五氧化二磷扩散制备PN结原理 | 第33-34页 |
| 3.1.3 稳流PN结制备工艺与设备 | 第34-36页 |
| 3.2 稳流PN结制备工艺研究 | 第36-40页 |
| 3.2.1 硅片的清洗 | 第36页 |
| 3.2.2 五氧化二磷扩散实验 | 第36-38页 |
| 3.2.3 样品腐蚀 | 第38-40页 |
| 3.3 扩散工艺对方阻的影响 | 第40-45页 |
| 3.3.1 方块电阻与掺杂量关系 | 第40-41页 |
| 3.3.2 PN结的方块电阻测试结果 | 第41-45页 |
| 3.4 电极制备 | 第45-46页 |
| 3.4.1 磁控溅射 | 第45页 |
| 3.4.2 磁控溅射制备电极 | 第45-46页 |
| 3.5 反向I-V特性测试 | 第46-51页 |
| 3.5.1 4200 测试装置 | 第46页 |
| 3.5.2 反向I-V曲线测试 | 第46-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 FEA制备工艺与场发射测试 | 第53-65页 |
| 4.1 Spindt阴极结构与制备工艺 | 第53-57页 |
| 4.1.1 Spindt阴极结构 | 第53页 |
| 4.1.2 空腔制备工艺 | 第53-54页 |
| 4.1.3 牺牲层工艺 | 第54-55页 |
| 4.1.4 电子束蒸发镀膜工艺 | 第55-56页 |
| 4.1.5 表征手段 | 第56-57页 |
| 4.2 制备工艺与阴极形貌 | 第57-61页 |
| 4.2.1 空腔制备工艺与阴极形貌 | 第57-58页 |
| 4.2.2 牺牲层工艺与阴极形貌 | 第58-59页 |
| 4.2.3 电子束蒸发镀膜工艺与阴极形貌 | 第59-61页 |
| 4.3 场发射阵列性能测试 | 第61-64页 |
| 4.3.1 场发射测试与装置 | 第61-62页 |
| 4.3.2 场发射测试 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 工作总结 | 第65-66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第71-72页 |
