| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.0 研究背景和研究意义 | 第8-11页 |
| 1.1 研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2 论文主要研究工作 | 第13页 |
| 1.3 论文整体组织结构 | 第13-15页 |
| 第2章 SRAM的读操作以及传统复制位线技术 | 第15-22页 |
| 2.1 SRAM主要架构及工作原理 | 第15-17页 |
| 2.1.1 存储阵列及存储单元 | 第15-16页 |
| 2.1.2 灵敏放大器 | 第16页 |
| 2.1.3 SRAM读操作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 SRAM时序控制电路 | 第17-20页 |
| 2.2.1 反向器延时链技术 | 第17-18页 |
| 2.2.2 传统复制位线技术 | 第18-20页 |
| 2.3 传统复制位线技术存在的问题 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 优化的SRAM时序电路控制技术 | 第22-34页 |
| 3.1 数字复制位线时序控制电路 | 第22-26页 |
| 3.1.1 数字复制位线技术结构及原理 | 第22-25页 |
| 3.1.2 数字复制位线与传统复制位线技术仿真对比 | 第25页 |
| 3.1.3 数字复制位线技术存在的问题 | 第25-26页 |
| 3.2 多级双复制位线技术 | 第26-29页 |
| 3.2.1 多级双复制位线技术结构及原理 | 第26-28页 |
| 3.2.2 多级双复制位线与传统复制位线技术仿真对比 | 第28-29页 |
| 3.2.3 多级双复制位线技术存在的问题 | 第29页 |
| 3.3 双列交错复制位线技术 | 第29-33页 |
| 3.3.1 双列交错复制位线技术的结构及原理 | 第29-32页 |
| 3.3.2 双列交错复制位线与传统技术仿真对比 | 第32页 |
| 3.3.3 双列交错复制位线技术存在的问题 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 基于电流型的改进复制位线技术 | 第34-52页 |
| 4.1 复制位线技术的两种设计结构 | 第34-36页 |
| 4.1.1 电容比率反馈型复制位线 | 第34-35页 |
| 4.1.2 电流比率反馈型复制位线 | 第35-36页 |
| 4.2 双列复制位线技术原理分析 | 第36-38页 |
| 4.3 基于自举电路的复制位线设计分析 | 第38-40页 |
| 4.4 基于自举电路的复制位线技术理论基础 | 第40-46页 |
| 4.4.1 复制位线放电摆幅偏差与电压的关系 | 第40-41页 |
| 4.4.2 电压自举电路的确定及工作原理 | 第41-46页 |
| 4.5 仿真结果分析 | 第46-51页 |
| 4.5.1 双列复制位线的蒙特卡罗仿真结果 | 第46-48页 |
| 4.5.2 基于自举电路的蒙特卡罗仿真结果 | 第48-50页 |
| 4.5.3 电压自举电路中电容大小的讨论 | 第50-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 硕士阶段获得的研究成果 | 第60页 |