| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 超晶格材料的性质 | 第10-11页 |
| 1.3 发展和研究现状 | 第11-13页 |
| 1.4 SAPD的典型结构 | 第13-15页 |
| 1.4.1 量子阱SAPD | 第13-14页 |
| 1.4.2 台阶型SAPD | 第14页 |
| 1.4.3 掺杂量子阱SAPD | 第14-15页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第2章 SAPD的基本理论 | 第17-27页 |
| 2.1 碰撞离化理论 | 第17-19页 |
| 2.1.1 离化阈值能量E_(th) | 第17-18页 |
| 2.1.2 离化系数α | 第18-19页 |
| 2.2 SAPD的基本原理 | 第19-22页 |
| 2.3 光电探测器的性能参数 | 第22-26页 |
| 2.3.1 量子效率和响应度 | 第22-23页 |
| 2.3.2 暗电流和噪声特性 | 第23-25页 |
| 2.3.3 响应特性 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 外延工艺与检测 | 第27-41页 |
| 3.1 MOCVD系统 | 第27-32页 |
| 3.1.1 气体输运系统 | 第28-29页 |
| 3.1.2 生长反应室系统 | 第29-30页 |
| 3.1.3 尾气处理系统 | 第30-31页 |
| 3.1.4 生长控制分系统 | 第31-32页 |
| 3.2 外延生长的测控 | 第32-34页 |
| 3.2.1 在位监测 | 第32-33页 |
| 3.2.2 温度测控 | 第33-34页 |
| 3.3 外延结构检测设备 | 第34-38页 |
| 3.3.1 光致发光光谱 | 第34-35页 |
| 3.3.2 电化学CV（ECV） | 第35-36页 |
| 3.3.3 霍尔效应测试 | 第36-37页 |
| 3.3.4 X射线双晶衍射 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-41页 |
| 第4章 结构优化及模拟结果 | 第41-49页 |
| 4.1 仿真工具简介 | 第41-42页 |
| 4.2 仿真模拟与优化 | 第42-47页 |
| 4.2.1 吸收层的厚度优化 | 第42-43页 |
| 4.2.2 电荷层参数对器件电场分布的影响 | 第43-46页 |
| 4.2.3 超晶格结构的优化 | 第46-47页 |
| 4.3 器件光电特性仿真结果 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 SAPD器件外延生长 | 第49-61页 |
| 5.1 InP材料生长条件的优化 | 第49-52页 |
| 5.2 In GaAs/InAlAs超晶格材料的生长 | 第52-55页 |
| 5.2.1 InAlAs材料的外延生长 | 第52-54页 |
| 5.2.2 InGaAs/InAlAs超晶格的外延生长 | 第54-55页 |
| 5.3 器件的掺杂 | 第55-56页 |
| 5.4 SAPD器件的生长和测试 | 第56-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |