| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 引言 | 第14-17页 |
| 第一章 微电子器件质子单粒子效应概述 | 第17-41页 |
| 1.1 空间辐射环境 | 第17-22页 |
| 1.1.1 银河宇宙射线 | 第18-19页 |
| 1.1.2 太阳粒子事件 | 第19-20页 |
| 1.1.3 地球辐射带与南大西洋异常区 | 第20-22页 |
| 1.2 空间辐射效应 | 第22-29页 |
| 1.2.1 累积效应 | 第22-24页 |
| 1.2.2 单粒子效应 | 第24-27页 |
| 1.2.3 不同卫星轨道上的辐射效应 | 第27-29页 |
| 1.3 单粒子效应物理机制 | 第29-35页 |
| 1.3.1 电荷产生 | 第29-32页 |
| 1.3.2 电荷收集 | 第32-34页 |
| 1.3.3 器件响应 | 第34-35页 |
| 1.4 质子单粒子效应截面理论预估方法 | 第35-39页 |
| 1.4.1 半经验公式法 | 第35-36页 |
| 1.4.2 基于TCAD的计算机模拟 | 第36-39页 |
| 1.5 小结 | 第39-41页 |
| 第二章 质子单粒子效应截面预估的蒙特卡罗方法(PRESTAGE) | 第41-65页 |
| 2.1 PRESTAGE方法简介 | 第42-52页 |
| 2.1.1 器件建模 | 第43-46页 |
| 2.1.2 效应模拟 | 第46-51页 |
| 2.1.3 截面计算 | 第51-52页 |
| 2.2 PRESTAGE质子单粒子翻转截面预估 | 第52-61页 |
| 2.2.1 质子非直接电离引起的单粒子翻转 | 第53-59页 |
| 2.2.2 质子直接电离引起的单粒子翻转 | 第59-61页 |
| 2.3 PRESTAGE质子单粒子闩锁截面预估 | 第61-64页 |
| 2.4 小结 | 第64-65页 |
| 第三章 PRESTAGE对输入参数变化的敏感性 | 第65-77页 |
| 3.1 器件灵敏体积厚度Tsv | 第66-72页 |
| 3.2 器件钝化层厚度TOL | 第72-74页 |
| 3.3 其它输入参数 | 第74-75页 |
| 3.4 小结 | 第75-77页 |
| 第四章 VATA160芯片单粒子闩锁空间错误率预估 | 第77-103页 |
| 4.1 暗物质粒子探测卫星与VATA160芯片 | 第77-83页 |
| 4.2 VATA160芯片单粒子闩锁重离子加速器测试 | 第83-92页 |
| 4.2.1 重离子单粒子效应加速器测试方法 | 第83-87页 |
| 4.2.2 VATA160芯片重离子加速器测试结果 | 第87-92页 |
| 4.3 PRESTAGE对VATA160芯片质子单粒子闩锁截面的预估 | 第92-95页 |
| 4.4 VATA160芯片质子单粒子闩锁空间错误率计算 | 第95-102页 |
| 4.5 小结 | 第102-103页 |
| 第五章 总结 | 第103-107页 |
| 参考文献 | 第107-121页 |
| 发表文章 | 第121-122页 |
