| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 氮化镓基LED的发展现状及存在的问题 | 第9-12页 |
| 1.1.1 发展现状 | 第9-11页 |
| 1.1.2 存在的问题 | 第11-12页 |
| 1.2 光子晶体LED的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.3 石墨烯透明电流扩展层的研究进展 | 第14-18页 |
| 1.4 本论文的选题意义和主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 器件的相关原理 | 第19-25页 |
| 2.1 GaN LED的工作原理 | 第19-21页 |
| 2.2 光子晶体相关理论和光子晶体LED | 第21-22页 |
| 2.3 GaN LED表面的电流扩展 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 石墨烯作为电流扩展层的光子晶体GaN LED的设计和制备 | 第25-47页 |
| 3.1 石墨烯的光电性能以及与GaN的欧姆接触 | 第25-29页 |
| 3.2 器件的结构设计 | 第29-30页 |
| 3.3 石墨烯作电流扩展层的光子晶体GaN LED工艺总流程 | 第30-31页 |
| 3.4 制备光子晶体GaN LED的工艺 | 第31-43页 |
| 3.4.1 设计光刻掩膜版 | 第31页 |
| 3.4.2 主要工艺操作介绍 | 第31-38页 |
| 3.4.3 光子晶体GaN LED的具体工艺制备流程 | 第38-43页 |
| 3.5 石墨烯转移的工艺 | 第43-45页 |
| 3.6 制备器件过程中的工艺注意事项 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 器件测试与分析 | 第47-59页 |
| 4.1 石墨烯电流扩展层的拉曼和透光率测试与分析 | 第47-49页 |
| 4.2 器件的I-V特性和发光功率测试与分析 | 第49-53页 |
| 4.3 石墨烯作为电极的I-V测试与分析 | 第53-55页 |
| 4.4 器件模拟与仿真 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
