| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 拓扑序及拓扑材料介绍 | 第8-30页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 拓扑基本理论 | 第9-20页 |
| 1.2.1 量子霍尔效应 | 第9-12页 |
| 1.2.2 拓扑绝缘体 | 第12-19页 |
| 1.2.3 拓扑晶体绝缘体 | 第19-20页 |
| 1.3 拓扑材料应用 | 第20-23页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体 | 第20-22页 |
| 1.3.2 拓扑晶体绝缘体 | 第22-23页 |
| 1.4 拓扑材料实现 | 第23-25页 |
| 1.4.1 拓扑绝缘体 | 第23-24页 |
| 1.4.2 拓扑晶体绝缘体 | 第24-25页 |
| 1.5 拓扑材料生长 | 第25-29页 |
| 1.5.1 Bridgman方法 | 第25页 |
| 1.5.2 MBE生长 | 第25-28页 |
| 1.5.3 CVD生长 | 第28-29页 |
| 1.5.4 其他生长方法 | 第29页 |
| 1.5.5 生长中存在的问题 | 第29页 |
| 1.6 论文内容安排 | 第29-30页 |
| 第2章 基本理论 | 第30-44页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第30-38页 |
| 2.1.1 引言 | 第30页 |
| 2.1.2 多体问题求解 | 第30-35页 |
| 2.1.3 自旋轨道耦合 | 第35-37页 |
| 2.1.4 范德瓦尔斯修正 | 第37-38页 |
| 2.1.5 反应速率计算和反应势垒 | 第38页 |
| 2.2 晶体生长和缺陷计算相关理论 | 第38-44页 |
| 2.2.1 晶体生长 | 第38-41页 |
| 2.2.2 缺陷计算 | 第41-44页 |
| 第3章 拓扑晶体绝缘体SnTe的微观导电机制和Pb的合金化效应 | 第44-57页 |
| 3.1 本章引言 | 第44-46页 |
| 3.2 缺陷形成能计算 | 第46-48页 |
| 3.3 SnTe和PbTe的缺陷形成能 | 第48页 |
| 3.4 SnTe的费米能级位置 | 第48-49页 |
| 3.5 PbTe的费米能级位置 | 第49-51页 |
| 3.6 SnTe和PbTe差异分析 | 第51-53页 |
| 3.7 合金化效应 | 第53-54页 |
| 3.8 结论 | 第54页 |
| 3.9 SnTe薄膜中V_(Sn)~(2?)稳定性 | 第54-57页 |
| 第4章 拓扑绝缘体Bi_2Te_3非范德瓦尔斯剥离面的稳定性研究 | 第57-68页 |
| 4.1 本章引言 | 第57-59页 |
| 4.2 表面能计算 | 第59-61页 |
| 4.3 Bi_2Te_3表面能及悬挂键 | 第61-66页 |
| 4.4 Wulff构型 | 第66-67页 |
| 4.5 结论 | 第67页 |
| 4.6 环境中O_2对表面稳定性的影响 | 第67-68页 |
| 第5章 Bi_2Se_3MBE生长的原子图像 | 第68-84页 |
| 5.1 本章引言 | 第68-69页 |
| 5.2 MBE生长中化学势定义 | 第69-70页 |
| 5.3 动力学反应速率方程 | 第70页 |
| 5.4 团簇类型和反应势垒计算 | 第70-74页 |
| 5.5 浓度与化学势结果 | 第74-79页 |
| 5.6 生长过程与平衡浓度对比 | 第79-81页 |
| 5.7 成核过程 | 第81-83页 |
| 5.8 结论 | 第83-84页 |
| 第6章 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第98-99页 |
