| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-18页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第18-20页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3 论文的主要工作和内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管工作机制 | 第22-30页 |
| 2.1 固态等离子体形成机理 | 第22-24页 |
| 2.2 Si/Ge/Si异质结材料特性 | 第24-27页 |
| 2.3 横向S-PiN二极管工作机制 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管几何参数优化 | 第30-46页 |
| 3.1 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管结构 | 第30-31页 |
| 3.2 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管本征区载流子浓度理论分析 | 第31-33页 |
| 3.3 几何参数对固态等离子体浓度影响 | 第33-44页 |
| 3.3.1 GOI层深度对固态等离子体浓度影响 | 第33-36页 |
| 3.3.2 电极长度对固态等离子体浓度影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 P区和N区尺寸对固态等离子体浓度影响 | 第37-39页 |
| 3.3.4 i区长度对固态等离子体浓度影响 | 第39-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管物理参数优化 | 第46-62页 |
| 4.1 PiN二极管物理效应对其本征区载流子浓度影响 | 第46-53页 |
| 4.1.1 禁带宽度变窄对本征区载流子浓度影响 | 第46-48页 |
| 4.1.2 复合对本征区载流子浓度影响 | 第48-50页 |
| 4.1.3 散射对本征区载流子浓度及其分布影响 | 第50-53页 |
| 4.2 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管掺杂对固态等离子体浓度影响 | 第53-55页 |
| 4.3 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管偏电对固态等离子体浓度影响 | 第55-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 Si/Ge/Si异质S-PiN二极管设计 | 第62-68页 |
| 5.1 Si/Ge/Si异质S-PiN二极管设计 | 第62-65页 |
| 5.2 Si/Ge/Si异质横向S-PiN二极管制备 | 第65-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
