摘要 | 第8-11页 |
ABSTRACT | 第11-14页 |
第一章 绪论 | 第15-33页 |
1.1 铌酸锂晶体的研究和应用现状 | 第15-17页 |
1.2 近化学计量比铌酸锂晶体和掺杂工程 | 第17-28页 |
1.2.1 铌酸锂的结构和物理性能基础 | 第17-24页 |
1.2.2 近化学计量比与同成分晶体 | 第24-27页 |
1.2.3 掺杂工程 | 第27-28页 |
1.3 本论文拟开展的工作 | 第28页 |
参考文献 | 第28-33页 |
第二章 掺杂铌酸锂晶体的制备工艺及掺杂均匀性对晶体的影响 | 第33-73页 |
2.1 掺镁铌酸锂晶体中的常见缺陷及性质研究 | 第33-51页 |
2.1.1 铌酸锂晶体中的宏观缺陷简介 | 第34-36页 |
2.1.1.1. 宏观缺陷类型 | 第34-35页 |
2.1.1.2. 宏观缺陷的表征手段 | 第35-36页 |
2.1.2 本征缺陷的消除与掺杂占位 | 第36-39页 |
2.1.3 镁掺杂铌酸锂模型晶体生长 | 第39-43页 |
2.1.4 晶体中的氧化镁颗粒对晶体的影响 | 第43-51页 |
2.2 部分液相法合成均匀掺镁铌酸锂多晶料 | 第51-59页 |
2.2.1 铌酸锂多晶料的合成机理 | 第51-53页 |
2.2.2 部分液相法MgO均匀掺杂铌酸锂多晶料的制备 | 第53-59页 |
2.3 均匀掺杂同成分铌酸锂晶体的生长和性质研究 | 第59-68页 |
2.3.1 提拉法生长铌酸锂单晶 | 第59-61页 |
2.3.2 部分液相法多晶料生长的单晶表征 | 第61-66页 |
2.3.3 Nd:Mg:CLN晶体的生长 | 第66-68页 |
2.4 本章小结 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
第三章 掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的生长和性质研究 | 第73-106页 |
3.1 MgO掺杂NSLN晶体的生长工艺改进及晶体质量研究 | 第74-78页 |
3.1.1 多晶料制备 | 第74页 |
3.1.2 晶体生长 | 第74-77页 |
3.1.3 晶体表征 | 第77-78页 |
3.2 Nd:Mg:NSLN晶体的生长及晶体物理性质研究 | 第78-90页 |
3.2.1 Nd:Mg:NSLN晶体生长工艺探索 | 第78-80页 |
3.2.2 钕镁双掺近化学计量比与同成分铌酸锂晶体性质研究 | 第80-90页 |
3.3 铒镱双掺化学计量比铌酸锂晶体的生长和性质研究 | 第90-101页 |
3.3.1 晶体的生长与处理 | 第90-93页 |
3.3.2 晶体的物理性质 | 第93-94页 |
3.3.3 晶体的光谱性质 | 第94-101页 |
3.3.3.1 能级跃迁与吸收光谱 | 第94-96页 |
3.3.3.2 偏振吸收光谱 | 第96-98页 |
3.3.3.3 激发和发射光谱 | 第98-99页 |
3.3.3.4 荧光寿命和上转换发光 | 第99-101页 |
3.4 本章小结 | 第101-102页 |
参考文献 | 第102-106页 |
第四章 总结 | 第106-108页 |
4.1 结论 | 第106-107页 |
4.2 主要创新点 | 第107-108页 |
攻读学位期间发表的论文和专利 | 第108-110页 |
攻读学位期间获得的奖励 | 第110-111页 |
致谢 | 第111-113页 |
附录 | 第113-124页 |
附件 | 第124页 |