化学气相沉积法制备Ⅲ族氮化物纳米材料
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·纳米材料与纳米科技 | 第9-15页 |
| ·简介 | 第9页 |
| ·纳米材料的定义 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的分类 | 第10页 |
| ·纳米材料的独特效应 | 第10-12页 |
| ·纳米材料的性能和应用 | 第12-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体 | 第15-17页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体的重要特性 | 第15-16页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体的基本特性 | 第16-17页 |
| ·纳米材料的常用制备方法 | 第17-19页 |
| ·化学气相沉积 | 第18-19页 |
| ·水热法和溶剂热法 | 第19页 |
| ·真空热蒸发法 | 第19页 |
| ·论文研究目标及课题来源 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 氮化铝和氮化镓异质结的制备 | 第23-37页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·实验装置和测试仪器 | 第24-25页 |
| ·实验装置 | 第24-25页 |
| ·表征分析设备 | 第25页 |
| ·实验部分 | 第25-27页 |
| ·实验方案 | 第25-26页 |
| ·实验步骤 | 第26-27页 |
| ·表征和测试 | 第27-33页 |
| ·产物照片 | 第27页 |
| ·物相分析 | 第27-28页 |
| ·产物成分分析 | 第28-29页 |
| ·产物形貌分析 | 第29-31页 |
| ·AlN 纳米棒生长GaN 后的HRTEM 分析 | 第31-32页 |
| ·产物发光特性 | 第32-33页 |
| ·生长机制 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 第三章 氮化铟纳米结构生长和掺杂 | 第37-48页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·InN 纳米结构的合成 | 第38-40页 |
| ·实验条件 | 第38页 |
| ·结构表征 | 第38-40页 |
| ·InN 纳米结构的Sn 掺杂 | 第40-44页 |
| ·实验条件 | 第40-41页 |
| ·样品表征 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 第四章 氮化铝纳米花的制备 | 第48-55页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验过程 | 第48-49页 |
| ·产物表征 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第55页 |
| ·工作总结 | 第55页 |
| ·工作展望 | 第55页 |
| 附录 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
