| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究背景与意义 | 第10页 |
| ·铜合金缓存层材料在显示领域的研究进展 | 第10-13页 |
| ·本文主要研究内容 | 第13-16页 |
| 第二章 铜制程沉积工艺和特性评价方法研究 | 第16-28页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·磁控溅射 | 第16-18页 |
| ·磁控溅射技术原理 | 第16-17页 |
| ·影响溅射的因素 | 第17-18页 |
| ·溅射成膜的过程 | 第18页 |
| ·蒸镀 | 第18-20页 |
| ·蒸镀的技术原理 | 第18-19页 |
| ·真空蒸发镀膜法的优缺点 | 第19页 |
| ·真空蒸发镀膜的三种基本过程 | 第19-20页 |
| ·薄膜特性的表征 | 第20-23页 |
| ·四探针方块电阻测试原理 | 第20-21页 |
| ·粘附力测试原理 | 第21-23页 |
| ·俄歇电子测试原理 | 第23页 |
| ·薄膜晶体管电学特性的表征 | 第23-26页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管的工作原理 | 第23-25页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管电学特性测试 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 铜合金材料特性研究 | 第28-50页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·显示器件中CuMn合金的沉积速率研究 | 第28-31页 |
| ·不同缓冲层材料对沉积速率的影响 | 第28-30页 |
| ·不同溅射功率对沉积速率的影响 | 第30-31页 |
| ·显示器件中CuMn合金的电阻研究 | 第31-38页 |
| ·不同缓冲层材料的电阻特性 | 第31-32页 |
| ·不同退火温度对CuMn合金的电阻和电阻均匀性影响 | 第32-35页 |
| ·不同退火时间对CuMn合金的电阻和电阻均匀性影响 | 第35-36页 |
| ·不同CuMn薄膜厚度对CuMn/Cu叠层薄膜电阻影响 | 第36-38页 |
| ·显示器件中CuMn/Cu叠层薄膜的粘附力研究 | 第38-41页 |
| ·不同缓冲层材料对Cu粘附力的影响 | 第38-39页 |
| ·不同厚度的CuMn对Cu粘附力的影响 | 第39-41页 |
| ·显示器件中CuMn/Cu的防扩散性研究 | 第41-44页 |
| ·不同缓冲层材料对Cu的扩散阻挡性的影响 | 第41-43页 |
| ·不同厚度CuMn对Cu的扩散阻挡性的影响 | 第43-44页 |
| ·显示器件中CuMn/Cu叠层薄膜的刻蚀特性研究 | 第44-47页 |
| ·不同缓冲层材料对刻蚀速率的影响 | 第45-46页 |
| ·不同刻蚀时间下CuMn/Cu叠层薄膜的刻蚀特性 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-50页 |
| 第四章 铜合金缓冲层材料在显示器件中的应用研究 | 第50-58页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·显示器件介绍 | 第50-52页 |
| ·铜合金缓冲层材料在显示器件中的特性验证 | 第52-57页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管的制造工艺 | 第52-54页 |
| ·不同缓冲层材料在显示器件中的特性 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致 谢 | 第62-64页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第64页 |
