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串联嵌入式子弹引信抗髙过载研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-12页
第一章 绪论第12-18页
   ·研究背景及意义第12-13页
   ·国内外发展现状第13-17页
     ·国外串联战斗部发展现状第13-15页
     ·国内串联战斗部发展现状第15页
     ·现有的抗高过载措施第15-17页
   ·本论文研究内容第17-18页
第二章 侵彻理论第18-24页
   ·子弹侵彻理论第18-19页
   ·侵彻问题研究方法第19-22页
     ·经验公式法第19-20页
     ·半理论半经验法第20页
     ·解析法第20-21页
     ·数值法第21-22页
   ·本章小结第22-24页
第三章 侵彻模型的建立第24-36页
   ·ANSYS/LS-DYNA简介第25-28页
     ·ANSYSY/LS-DYNA功能特点和应用领域第25-26页
     ·ANSYSY/LS-DYNA程序框架第26-27页
     ·ANSYSY/LS-DYNA分析的一般流程第27-28页
   ·目标靶板和子弹的材料模型第28-30页
   ·模型的验证第30-34页
   ·本章小结第34-36页
第四章 运用缓冲技术的引信抗高过载研究第36-48页
   ·聚四氟乙烯垫片的缓冲原理分析第38-43页
     ·简要介绍第38-39页
     ·聚四氟乙烯垫片的材料模型第39-40页
     ·仿真计算结果及分析第40-43页
   ·紫铜垫片的缓冲分析第43-46页
     ·紫铜简介第43页
     ·紫铜垫片的材料模型第43-44页
     ·仿真计算结果及分析第44-46页
   ·本章小结第46-48页
第五章 运用灌封填充技术的电路部件抗高过载研究第48-56页
   ·灌封技术及其应用第48页
   ·灌封材料第48-51页
   ·有限元仿真验证第51-55页
     ·电路部件灌封前仿真分析第51-52页
     ·电路部件灌封后仿真分析第52-55页
   ·本章小结第55-56页
第六章 动态试验验证第56-60页
第七章 总结与展望第60-62页
参考文献第62-66页
致谢第66-68页
作者简介第68页

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