| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·传统的 FLASH 存储器 | 第7-8页 |
| ·新型非挥发性存储器 | 第8-10页 |
| ·铁电式随机存储器 | 第8-9页 |
| ·磁阻式随机存储器 | 第9页 |
| ·相变式随机存储器 | 第9-10页 |
| ·阻变式随机存储器 | 第10页 |
| ·本文研究内容与编排 | 第10-13页 |
| 第二章 RRAM 综述 | 第13-23页 |
| ·RRAM 的工作原理 | 第13-16页 |
| ·FORMING 过程 | 第13-14页 |
| ·SET 和 RESET 过程 | 第14-15页 |
| ·RRAM 性能指标 | 第15-16页 |
| ·RRAM 阻变机制 | 第16-20页 |
| ·导电细丝理论 | 第16-17页 |
| ·SCLC 效应 | 第17-18页 |
| ·缺陷能级的电荷俘获和释放机制 | 第18页 |
| ·肖特基发射效应 | 第18-19页 |
| ·Pool-Frenkel 效应 | 第19-20页 |
| ·RRAM 的结构 | 第20-21页 |
| ·单层结构 | 第20页 |
| ·双层结构 | 第20-21页 |
| ·多层结构 | 第21页 |
| ·小结 | 第21-23页 |
| 第三章 RRAM 仿真基础概述 | 第23-35页 |
| ·基于氧化-还原反应的 RRAM 阻变机制 | 第23-25页 |
| ·ECM 机理 | 第23-24页 |
| ·VCM 机理 | 第24页 |
| ·TCM 机理 | 第24-25页 |
| ·固态中的电子和离子输运 | 第25-26页 |
| ·金属-绝缘层界面处的电子传输 | 第26-30页 |
| ·仿真工具 COMSOL Multiphysics 的简介 | 第30-33页 |
| ·焦耳热模型结构建立 | 第30-32页 |
| ·模型网格划分和求解 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第四章 VCM 型 MIM 结构 RRAM 的建模仿真 | 第35-47页 |
| ·TiO_2-RRAM 的 VCM 阻变机理及数学模型 | 第35-36页 |
| ·MIM 结构模型的建立 | 第36-38页 |
| ·SET 过程仿真结果 | 第38-42页 |
| ·RESET 过程仿真 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第五章 新型 RRAM 器件结构仿真 | 第47-61页 |
| ·新型结构的建模 | 第47-49页 |
| ·器件 SET 过程仿真 | 第49-53页 |
| ·器件 RESET 过程的仿真图 | 第53-58页 |
| ·两种结构的对比 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
