| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·半导体纳米晶的简介 | 第9-16页 |
| ·半导体纳米晶的制备方法 | 第16-19页 |
| ·应变自组装技术 | 第16-17页 |
| ·微结构生长和微细加工相结合方法 | 第17页 |
| ·离子注入法 | 第17页 |
| ·模板合成法 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18页 |
| ·化学溶液沉淀法 | 第18页 |
| ·胶体化学合成法 | 第18-19页 |
| ·半导体纳米晶的导电机制 | 第19-21页 |
| ·半导体纳米晶的电学性能的研究进展 | 第21-23页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 实验方法及原理 | 第27-41页 |
| ·胶体化学合成纳米晶 | 第27-28页 |
| ·光学曝光技术及原理 | 第28-33页 |
| ·介电电泳组装技术 | 第33-36页 |
| ·光谱分析技术 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 CdSe_xS_(1-x)纳米晶的制备与表征 | 第41-50页 |
| ·概述 | 第41-42页 |
| ·CdSe_xS_(1-x)纳米晶的制备和表征 | 第42页 |
| ·实验结果及分析 | 第42-47页 |
| ·形貌和结构分析 | 第42-45页 |
| ·光学性能分析 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第四章 CdSe_xS_(1-x)纳米晶光电器件的制备与表征 | 第50-59页 |
| ·概述 | 第50页 |
| ·器件的制备和与表征 | 第50-52页 |
| ·实验结果分析 | 第52-56页 |
| ·光电性能 | 第52-53页 |
| ·电学性能 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 CdSe_xS_(1-x)纳米晶光电器件的阻值跳跃机制研究 | 第59-67页 |
| ·概述 | 第59页 |
| ·器件的制备与表征 | 第59-60页 |
| ·实验结果及分析 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第67页 |
| ·展望 | 第67-69页 |
| 硕士期间学术成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
