中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜及其结构与光学性能的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| ·二氧化硅的研究概述 | 第10-14页 |
| ·二氧化硅的晶体结构及结构模型 | 第10-11页 |
| ·二氧化硅薄膜的生长机理 | 第11-13页 |
| ·氧化硅薄膜的性能及应用 | 第13-14页 |
| ·二氧化硅薄膜的制备技术 | 第14-16页 |
| ·热氧化法 | 第14页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第14页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第14-15页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第15-16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 磁控溅射镀膜基础理论及存在问题 | 第17-22页 |
| ·溅射镀膜基础理论 | 第17-20页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第17页 |
| ·溅射产额及其影响因素 | 第17-19页 |
| ·辉光放电现象 | 第19-20页 |
| ·中频磁控溅射制备二氧化硅存在的理论问题 | 第20-22页 |
| ·反应磁控溅射的迟滞效应 | 第20-21页 |
| ·提高反应溅射速率的途径 | 第21页 |
| ·反应溅射中的靶中毒现象和解决方法 | 第21-22页 |
| 3 二氧化硅薄膜制备实验与表征 | 第22-29页 |
| ·中频衡磁控溅射法制备二氧化硅薄膜 | 第22-26页 |
| ·实验设备 | 第22-23页 |
| ·中频磁控溅射的特性试验 | 第23-25页 |
| ·二氧化硅薄膜制备流程 | 第25-26页 |
| ·样品测试分析方法 | 第26-29页 |
| ·原子力显微镜 | 第26页 |
| ·X射线衍射仪 | 第26-27页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析(FTIR) | 第27-28页 |
| ·椭圆偏振仪 | 第28-29页 |
| 4 二氧化硅薄膜结构及性能分析 | 第29-54页 |
| ·氧分压对二氧化硅薄膜结构和性能的影响 | 第29-37页 |
| ·沉积速率 | 第29-31页 |
| ·表面形貌 | 第31-33页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第34-37页 |
| ·溅射功率对二氧化硅薄膜结构性能的影响 | 第37-42页 |
| ·沉积速率 | 第37-38页 |
| ·表面形貌 | 第38-39页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第39-42页 |
| ·二氧化硅的光学性能 | 第42-45页 |
| ·氧分压对薄膜折射率的影响 | 第42-43页 |
| ·溅射功率对薄膜折射率的影响 | 第43-45页 |
| ·退火工艺对薄膜结构及性能的影响 | 第45-53页 |
| ·退火工艺对薄膜结构的影响 | 第46-50页 |
| ·退火工艺对薄膜的光学性能的影响 | 第50-52页 |
| ·退火工艺对薄膜结构和性能的影响机制 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
