| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·纳米科技与纳米材料概述 | 第9页 |
| ·纳米材料的分类 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的特异性 | 第10-12页 |
| ·量子尺寸效应 | 第10页 |
| ·小尺寸效应 | 第10-11页 |
| ·表面效应 | 第11页 |
| ·库伦阻塞效应 | 第11页 |
| ·量子隧穿效应 | 第11页 |
| ·介电限域效应 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的应用 | 第12-14页 |
| ·能源存储与信息存储材料 | 第12页 |
| ·催化剂材料 | 第12-13页 |
| ·光子学和电子学领域 | 第13页 |
| ·在生物、医学方面的应用 | 第13-14页 |
| ·应用于传感器 | 第14页 |
| ·纳米材料的制备 | 第14-16页 |
| ·物理方法 | 第14-15页 |
| ·化学方法 | 第15-16页 |
| ·化学转化法 | 第16-19页 |
| ·离子交换法 | 第16-17页 |
| ·利用 Kirkendall 效应转化成目标材料 | 第17-18页 |
| ·纳米晶表面吸附稳定剂剥离法 | 第18-19页 |
| ·本文的研究意义及研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 Sb_2Te_3六边形纳米片的合成 | 第21-33页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第22-24页 |
| ·实验试剂 | 第22-23页 |
| ·实验仪器 | 第23页 |
| ·测试表征设备 | 第23-24页 |
| ·反应器高压釜的清洗 | 第24页 |
| ·50~200 nm 厚度 Sb_2Te_3纳米片的合成 | 第24-30页 |
| ·50~200 nm 厚度 Sb_2Te_3纳米片的合成过程 | 第24-25页 |
| ·产物的表征 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-30页 |
| ·小结 | 第30页 |
| ·15~20 nm 厚度 Sb_2Te_3纳米片的合成 | 第30-32页 |
| ·15~20 nm 厚度 Sb_2Te_3纳米片的合成过程 | 第30页 |
| ·产物的表征 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Sb_2Te_3六边形纳米片转化为单晶多孔 Te 片 | 第33-53页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第34-35页 |
| ·实验试剂 | 第34-35页 |
| ·实验仪器 | 第35页 |
| ·测试表征设备 | 第35页 |
| ·Sb_2Te_3六边形纳米片转化为多孔单晶 Te 片 | 第35-49页 |
| ·Sb_2Te_3纳米片转化为多孔单晶 Te 片的过程 | 第35页 |
| ·产物的表征 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-40页 |
| ·Sb_2Te_3纳米片转化为多孔单晶 Te 片的反应机理探究 | 第40-49页 |
| ·小结 | 第49页 |
| ·Sb_2Te_3六边形纳米片转化为 In/Te 异质多孔片 | 第49-52页 |
| ·转化为 In/Te 异质多孔片的过程 | 第50页 |
| ·转化产品 In/Te 异质多孔片的表征结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 单晶多孔 Te 片为模板合成贵金属纳米片 | 第53-60页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第53-54页 |
| ·实验试剂 | 第54页 |
| ·实验仪器 | 第54页 |
| ·测试表征设备 | 第54页 |
| ·多孔网络结构贵金属纳米片的合成 | 第54-55页 |
| ·贵金属盐溶液的配置 | 第54-55页 |
| ·纳米线基多孔网络结构 Pt 片的合成 | 第55页 |
| ·纳米线基多孔网络结构 Au 片的合成 | 第55页 |
| ·纳米管基多孔网络结构 Pd 片的合成 | 第55页 |
| ·产物的表征与结果分析 | 第55-59页 |
| ·纳米线基多孔网络结构 Pt 片、Au 片的表征与结果分析 | 第55-57页 |
| ·纳米管基多孔网络结构 Pd 片的表征与结果分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-71页 |
| 发表论文情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
