椭偏技术在6H-SiC晶体光学常数的测量与分析
| 中文摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-16页 |
| ·椭偏技术的发展历史 | 第11-12页 |
| ·椭偏仪的种类 | 第12-14页 |
| ·椭偏技术的优势及局限 | 第14页 |
| ·椭偏技术的发展趋势 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 椭偏测量的基本原理 | 第16-20页 |
| ·菲涅尔反射系数 | 第16-18页 |
| ·椭偏参数及其物理意义 | 第18-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 第三章 SiC材料研究概述 | 第20-25页 |
| ·SiC材料的结构与性能 | 第20-21页 |
| ·SiC材料的发展历史 | 第21页 |
| ·我国SiC材料的研究进展 | 第21-22页 |
| ·6H-SiC材料光致发光性质的研究 | 第22-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第四章 晶体材料椭偏参数的计算 | 第25-38页 |
| ·光在各向异性材料中的传播 | 第25-31页 |
| ·折射率椭球 | 第25-26页 |
| ·介电张量 | 第26-27页 |
| ·各向异性材料的琼斯矩阵 | 第27-31页 |
| ·各向异性材料的椭偏参数的计算 | 第31-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第五章 6H-SiC晶体的椭偏测量 | 第38-43页 |
| ·实验样品的设计 | 第38-40页 |
| ·实验样品的制备 | 第40-41页 |
| ·样品的椭偏测量 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第六章 椭偏测量数据的处理与分析 | 第43-56页 |
| ·入射角度的校正 | 第43-44页 |
| ·实验数据 | 第44-46页 |
| ·测量数据的处理与分析 | 第46-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间的成果及获得的奖励 | 第64-66页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第66页 |
