| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·光折变效应 | 第12-17页 |
| ·光折变效应概述 | 第12-13页 |
| ·光折变效应的物理机制 | 第13-16页 |
| ·能带输运模型 | 第16页 |
| ·光折变效应的主要特征 | 第16-17页 |
| ·光子晶体和光子晶格 | 第17-20页 |
| ·光子晶体及光子晶格的概念 | 第17-19页 |
| ·光折变光子晶格的特性 | 第19-20页 |
| ·缺陷态光子晶格 | 第20-23页 |
| ·缺陷态光子晶格的概念及应用 | 第20-21页 |
| ·缺陷态光子晶格的制作方法 | 第21-23页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 交叉相位法制作缺陷态光子晶格及光学特性研究 | 第25-44页 |
| ·交叉相位法制作缺陷态光子晶格 | 第25-31页 |
| ·实验装置 | 第25-26页 |
| ·制作线缺陷 | 第26-28页 |
| ·制作四方光子晶格 | 第28-29页 |
| ·制作带有线缺陷的光子晶 | 第29-31页 |
| ·交叉相位法制作缺陷态光子晶格光学特性研究 | 第31-40页 |
| ·缺陷间晶格列数对缺陷局域特性的影响 | 第31-35页 |
| ·探测光入射角度对缺陷模的影响 | 第35-38页 |
| ·线缺陷方向对四方晶格光学特性的影响 | 第38-40页 |
| ·二维缺陷态光子晶格的理论模拟 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 片光法制作缺陷态光子晶格及光学特性研究 | 第44-53页 |
| ·片光法制作缺陷态光子晶格 | 第44-46页 |
| ·实验装置 | 第44-45页 |
| ·片光法制作线缺陷 | 第45-46页 |
| ·片光法制作缺陷态光子晶格 | 第46页 |
| ·片光法制作缺陷态光子晶格的光学特性研究 | 第46-49页 |
| ·辐照时间对缺陷局域能力的影响 | 第46-47页 |
| ·写入光强比对缺陷局域能力的影响 | 第47-48页 |
| ·掩膜孔间距对缺陷局域能力的影响 | 第48-49页 |
| ·探测光波长对缺陷局域能力的影响 | 第49页 |
| ·实验结果分析 | 第49-50页 |
| ·数值模拟 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 网状缺陷态光子晶格的制作及光学特性研究 | 第53-63页 |
| ·实验装置 | 第53-55页 |
| ·网状缺陷的制作与研究 | 第55-58页 |
| ·制作网状缺陷 | 第55页 |
| ·实验条件对网状缺陷光学特性的影响 | 第55-58页 |
| ·网状缺陷态光子晶格的制作及光学特性研究 | 第58-61页 |
| ·网状缺陷光子晶格的制作 | 第58-59页 |
| ·网状缺陷光子晶格光学特性的研究 | 第59-61页 |
| ·数值模拟 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-66页 |
| ·工作总结 | 第63-64页 |
| ·未来工作展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |