| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·PZT薄膜的研究现状 | 第9-11页 |
| ·PZT薄膜的应用 | 第11-15页 |
| ·本文的研究意义及主要研究内容 | 第15-16页 |
| 2 PSZT压电薄膜的基本理论 | 第16-28页 |
| ·PZT薄膜的压电理论 | 第16-19页 |
| ·PZT薄膜的晶体结构特性 | 第16-17页 |
| ·压电效应 | 第17-19页 |
| ·PZT薄膜的掺杂改性理论 | 第19-20页 |
| ·PSZT薄膜的制备 | 第20-23页 |
| ·PSZT薄膜的制备技术 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法制备原理 | 第21-23页 |
| ·PSZT薄膜性能的表征方法 | 第23-26页 |
| ·热重-差热分析 | 第23页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第24-25页 |
| ·I-V特性表征 | 第25页 |
| ·介电性能表征 | 第25-26页 |
| ·悬臂梁式压电微力传感器的性能 | 第26-28页 |
| 3 PSZT薄膜的制备与性能表征 | 第28-43页 |
| ·PSZT薄膜的制备 | 第28-30页 |
| ·PSZT胶体的配制 | 第28-30页 |
| ·PSZT薄膜的制备 | 第30页 |
| ·PSZT胶体的演化分析 | 第30-32页 |
| ·PSZT薄膜的表面形貌分析 | 第32页 |
| ·PSZT薄膜的XRD分析 | 第32-37页 |
| ·预烧温度对薄膜取向的影响 | 第32-34页 |
| ·Sr~(2+)掺杂浓度对PSZT薄膜择优取向性的影响 | 第34-35页 |
| ·Sr~(2+)掺杂浓度对PSZT薄膜晶格常数的影响 | 第35-36页 |
| ·Sr~(2+)掺杂浓度对PSZT薄膜相含量的影响 | 第36-37页 |
| ·PSZT薄膜的I-V特性 | 第37-38页 |
| ·厚度对PSZT薄膜I-V特性的影响 | 第37-38页 |
| ·Sr~(2+)掺杂浓度对PSZT薄膜I-V特性的影响 | 第38页 |
| ·PSZT薄膜的介电性能 | 第38-42页 |
| ·厚度对PSZT薄膜介电性能的影响 | 第39-40页 |
| ·Sr~(2+)掺杂浓度对PSZT薄膜介电性能的影响 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 微力传感器的制作与性能测试研究 | 第43-57页 |
| ·PSZT压电薄膜微力传感器的制作 | 第43-50页 |
| ·PSZT压电薄膜微力传感器的制作工艺流程 | 第43-47页 |
| ·绝缘层与底电极图形化工艺的优化 | 第47-49页 |
| ·压电薄膜腐蚀工艺的改进 | 第49-50页 |
| ·微力传感器的测试系统 | 第50-52页 |
| ·PSZT压电薄膜微力传感器的性能测试 | 第52-55页 |
| ·压电薄膜的厚度对微力传感器的性能影响 | 第52-54页 |
| ·不同PSZT薄膜对微力传感器性能的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
