| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| ·研究背景 | 第17-19页 |
| ·溶液法制备硫化物薄膜及其光电性能研究的意义 | 第19-23页 |
| ·太阳电池材料及器件的历史和发展趋势 | 第19-21页 |
| ·太阳电池材料及制备工艺遭遇的问题和解决途径 | 第21-23页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验方法及原理 | 第25-39页 |
| ·化学浴方法及其原理 | 第25-31页 |
| ·化学浴方法简介 | 第25页 |
| ·化学浴工艺 | 第25-26页 |
| ·化学浴工艺制备薄膜材料的种类 | 第26-27页 |
| ·化学浴的沉积机理 | 第27-29页 |
| ·化学浴工艺沉积薄膜的生长过程及影响因素 | 第29-31页 |
| ·连续离子层吸附沉积及其原理 | 第31-34页 |
| ·连续离子层吸附沉积简介 | 第31-32页 |
| ·连续离子层吸附沉积的沉积机理 | 第32-33页 |
| ·连续离子层吸附沉积的生长过程及影响因素 | 第33-34页 |
| ·实验设备及原材料 | 第34-35页 |
| ·表征及测试方法 | 第35-39页 |
| ·X射线衍射 | 第36页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第36页 |
| ·台阶仪 | 第36页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪 | 第36-37页 |
| ·X射线光电子谱仪 | 第37页 |
| ·四探针电阻测试仪 | 第37页 |
| ·分光光度计及薄膜带隙计算 | 第37页 |
| ·光电流响应曲线测试 | 第37-39页 |
| 第三章 连续离子层吸附沉积制备SnS薄膜及其性能 | 第39-48页 |
| ·薄膜制备 | 第39-40页 |
| ·结果及讨论 | 第40-46页 |
| ·连续离子层吸附沉积制备SnS薄膜的结构及形貌 | 第40-41页 |
| ·阳离子溶液中添加剂对薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
| ·连续离子层吸附沉积制备闪锌矿结构SnS薄膜的机理分析 | 第43-45页 |
| ·连续离子层吸附沉积制备SnS薄膜的电学及光学性能 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 化学浴法制备SnS薄膜及其性能 | 第48-62页 |
| ·正交结构及闪锌矿结构SnS薄膜的制备及其原理 | 第48-54页 |
| ·薄膜制备 | 第48-49页 |
| ·化学浴制备SnS薄膜的结构及形貌 | 第49-51页 |
| ·闪锌矿及正交结构SnS薄膜的制备机理讨论 | 第51-52页 |
| ·化学浴制备闪锌矿及正交结构SnS薄膜的电学及光学性能 | 第52-54页 |
| ·制备参数对正交结构SnS薄膜形貌及性能的影响 | 第54-59页 |
| ·薄膜制备 | 第54-55页 |
| ·制备参数对SnS薄膜的结构及形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·制备参数对SnS薄膜电学及光学性能的影响 | 第57-59页 |
| ·化学浴制备的正交结构SnS薄膜在太阳电池中的应用 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 化学浴制备Bi_2S_3薄膜及其性能 | 第62-89页 |
| ·以EDTA为配位剂，TA为硫源制备Bi_2S_3薄膜 | 第62-66页 |
| ·薄膜制备 | 第62-63页 |
| ·结构及形貌表征 | 第63-65页 |
| ·光学及电学性能 | 第65-66页 |
| ·以EDTA为配位剂，Na_2S_2O_3为硫源制备Bi_2S_3薄膜 | 第66-71页 |
| ·薄膜制备 | 第66-67页 |
| ·Bi_2S_3薄膜结构及形貌 | 第67-68页 |
| ·Bi_2S_3薄膜的电学及光学性能 | 第68-70页 |
| ·Bi_2S_3/SnS薄膜异质结电池制备及其性能 | 第70-71页 |
| ·以AC(柠檬酸铵)为配位剂，Na_2S_2O_3为硫源制备Bi_2S_3薄膜 | 第71-73页 |
| ·Bi_2S_3薄膜的制备 | 第71页 |
| ·Bi_2S_3薄膜的结构及形貌 | 第71-72页 |
| ·薄膜的电学及光学性质 | 第72-73页 |
| ·以AC为配位剂，TA为硫源制备Bi_2S_3薄膜 | 第73-82页 |
| ·薄膜制备 | 第73-74页 |
| ·结构及形貌 | 第74-75页 |
| ·Bi_2S_3薄膜的电学及光学性能 | 第75-76页 |
| ·提高TA浓度对Bi_2S_3薄膜结构及性能的影响 | 第76-78页 |
| ·降低Bi(NO_3)_3浓度对Bi_2S_3薄膜结构及性能的影响 | 第78-80页 |
| ·添加剂NH_4Cl对Bi_2S_3薄膜结构及性能的影响 | 第80-82页 |
| ·纳米片状Bi_2S_3薄膜的制备及其性能表征 | 第82-87页 |
| ·纳米片状Bi_2S_3薄膜的制备 | 第82页 |
| ·纳米片状Bi_2S_3薄膜的结构及形貌 | 第82-84页 |
| ·纳米片状Bi_2S_3薄膜的电学及光学性能 | 第84-85页 |
| ·沉积温度对Bi_2S_3薄膜形貌的影响 | 第85-86页 |
| ·沉积温度及pH值对Bi_2S_3薄膜电学性能的影响 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 溶液法制备CdS、Cu_xS、ZnS和Cu_2ZnSnS_4薄膜及其性能 | 第89-108页 |
| ·化学浴制备CdS薄膜及其性能 | 第89-93页 |
| ·CdS薄膜简介 | 第89页 |
| ·CdS薄膜的制备 | 第89-90页 |
| ·CdS薄膜的结构及形貌 | 第90-91页 |
| ·CdS薄膜的电学及光学性能 | 第91-93页 |
| ·化学浴制备Cu_xS薄膜及其性能 | 第93-98页 |
| ·Cu_xS薄膜简介 | 第93页 |
| ·Cu_xS薄膜的制备 | 第93-94页 |
| ·Cu_xS薄膜的结构及形貌 | 第94-96页 |
| ·Cu_xS薄膜的电学及光学性能 | 第96-98页 |
| ·化学浴制备ZnS薄膜及其应用 | 第98-101页 |
| ·ZnS薄膜简介 | 第98页 |
| ·ZnS薄膜制备 | 第98页 |
| ·ZnS薄膜的结构及形貌 | 第98-100页 |
| ·ZnS薄膜的光学性质 | 第100页 |
| ·ZnS薄膜在减反射膜中的应用 | 第100-101页 |
| ·溶液法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其性能 | 第101-106页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4薄膜简介 | 第101-102页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备 | 第102页 |
| ·制备工艺对Cu_2ZnSnS_4薄膜制备的影响 | 第102-104页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4薄膜的结构、形貌及性能 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第七章 结论及展望 | 第108-112页 |
| ·本文结论 | 第108-110页 |
| ·本文主要创新点 | 第110-111页 |
| ·展望 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第125-126页 |
