| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-16页 |
| ·MOS 技术发展回顾 | 第7-9页 |
| ·纳米 MOSFET 器件中的源漏问题 | 第9-11页 |
| ·源漏穿通及漏致势垒降低（DIBL）效应 | 第9-10页 |
| ·超浅结和突变结的形成 | 第10页 |
| ·源漏寄生电阻和寄生电容的限制 | 第10-11页 |
| ·源漏工程及其限制 | 第11-14页 |
| ·采用Halo 掺杂的体硅MOSFET | 第12页 |
| ·具有抬高源漏的UTB 结构 | 第12-13页 |
| ·硅化物源漏 | 第13-14页 |
| ·本文的贡献和内容组织 | 第14-16页 |
| 第二章 Schottky S/D MOSFET 的设计 | 第16-51页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·Schottky S/D MOSFET 的工作原理和特性分析 | 第17-30页 |
| ·Schottky S/D MOSFET 的工作原理 | 第18-24页 |
| ·势垒高度对Schottky S/D MOSFET 特性的影响 | 第24-27页 |
| ·沟道掺杂对器件特性的影响 | 第27页 |
| ·衬底类型对器件特性的影响 | 第27-30页 |
| ·小结 | 第30页 |
| ·不对称 Schottky S/D MOSFET 的设计和特性分析 | 第30-40页 |
| ·器件结构设计 | 第30-31页 |
| ·器件的特性分析和模拟结果讨论 | 第31-34页 |
| ·器件的工艺制备方案 | 第34-40页 |
| ·小结 | 第40页 |
| ·双层Schottky S/D MOSFET 的设计和工艺制备研究 | 第40-50页 |
| ·器件结构设计 | 第40-42页 |
| ·器件的特性分析和模拟结果讨论 | 第42-47页 |
| ·器件的自对准工艺制备方案 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 TSB MOSFET 的设计和工艺制备研究 | 第51-81页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·TSB MOSFET 的结构和短沟特性分析 | 第52-63页 |
| ·器件结构设计 | 第52-53页 |
| ·短沟道性能的模拟结果分析 | 第53-60页 |
| ·肖特基源漏TSB MOSFET 的特性分析 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63页 |
| ·TSB MOSFET 的工艺制备研究 | 第63-80页 |
| ·工艺制备流程和实验步骤 | 第64-73页 |
| ·实验结果与讨论 | 第73-77页 |
| ·自对准TSB MOSFET 工艺制备方案 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第四章 超薄Fin 条的工艺制备研究 | 第81-89页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·工艺制备方案与实验步骤 | 第82-84页 |
| ·实验结果与讨论 | 第84-88页 |
| ·小结 | 第88-89页 |
| 第五章 总结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-103页 |
| 攻读博士学位期间已发表和投寄的论文 | 第103-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
