| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-14页 |
| ·课题研究相关背景 | 第5页 |
| ·课题研究目的及意义 | 第5-6页 |
| ·液晶显示器结构与驱动原理简介 | 第6-8页 |
| ·TFT结构与制程 | 第8-11页 |
| ·测试设备与方法 | 第11-13页 |
| ·本论文主要工作及其意义 | 第13-14页 |
| 第二章 非晶硅TFT电学特性漂移影响机制研究 | 第14-25页 |
| ·电学特性漂移的影响机制 | 第14-16页 |
| ·非晶硅中的缺陷 | 第14页 |
| ·Defect Pool模型 | 第14-15页 |
| ·氢化非晶硅中的亚稳态 | 第15-16页 |
| ·TFT器件的电学特性模型 | 第16-18页 |
| ·栅偏压对电学特性漂移的影响研究 | 第18-24页 |
| ·对栅压偏置所造成的电学特性漂移的Id-Vg特性曲线测试研究 | 第18-21页 |
| ·对负向栅压偏置所造成的电学特性漂移的C-V特性曲线测试研究·· | 第21-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 改善电学特性漂移实验设计与实验过程 | 第25-34页 |
| ·电学特性漂移改善实验方案的讨论与设计 | 第25-27页 |
| ·实验过程 | 第27页 |
| ·实验过程中涉及到的关键工艺 | 第27-33页 |
| ·有源层PECVD成膜 | 第28-31页 |
| ·有源层的反应离子刻蚀 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 实验结果的分析与讨论 | 第34-46页 |
| ·实验A 沟道a-Si干刻后退火实验结果分析与讨论 | 第34-40页 |
| ·实验B 降低沟道a-Si膜厚结果分析与讨论 | 第40-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结与展望 | 第46-47页 |
| ·本文的主要工作及成果 | 第46页 |
| ·本文的工作展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
