双介质埋层SOI高压器件的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| 第二章 SOI技术的概述 | 第11-23页 |
| ·SOI技术的优点 | 第11-13页 |
| ·SOI材料的制备技术 | 第13-17页 |
| ·SDB技术 | 第13-14页 |
| ·SIMOX技术 | 第14-15页 |
| ·Smart Cut技术 | 第15-16页 |
| ·外延层转移技术 | 第16-17页 |
| ·SOI高压器件研究现状和发展 | 第17-22页 |
| ·横向耐压技术 | 第17-19页 |
| ·纵向耐压技术 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 双介质埋层SOI器件新结构和耐压机理 | 第23-38页 |
| ·LDMOS耐压分析 | 第23-24页 |
| ·场板技术 | 第24-25页 |
| ·RESURF技术 | 第25-29页 |
| ·RESURF原理分析 | 第25-26页 |
| ·Single-RESURF LDMOS | 第26-27页 |
| ·Double-RESURF LDMOS | 第27-29页 |
| ·常规SOI器件耐压击穿特性 | 第29-32页 |
| ·双介质埋层SOI高压器件 | 第32-36页 |
| ·双介质埋层SOI器件结构 | 第32-33页 |
| ·双介质埋层SOI器件耐压机理 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 双介质埋层SOI高压器件耐压特性 | 第38-55页 |
| ·窗口位置L和大小W讨论 | 第41-45页 |
| ·窗口位置L | 第41-44页 |
| ·窗口大小W | 第44-45页 |
| ·埋氧层厚度讨论 | 第45-48页 |
| ·第一埋氧层厚度t_(I1) | 第45-47页 |
| ·第二埋氧层厚度t_(I2) | 第47-48页 |
| ·漂移区和降场层浓度讨论 | 第48-51页 |
| ·漂移区浓度N_d | 第48-50页 |
| ·降场层浓度N_p | 第50-51页 |
| ·多晶硅讨论 | 第51-54页 |
| ·多晶硅层厚度t_(poly) | 第51-52页 |
| ·多晶硅掺杂浓度N_(poly) | 第52-54页 |
| ·本章小节 | 第54-55页 |
| 第五章 双介质埋层高压SOI LDMOS的制备 | 第55-72页 |
| ·双介质埋层SOI材料的制备 | 第55-65页 |
| ·SOI材料的版图 | 第55-57页 |
| ·SOI材料的工艺流程 | 第57-62页 |
| ·实验结果测试分析 | 第62-65页 |
| ·双介质埋层SOI LDMOS器件的制备 | 第65-70页 |
| ·器件版图设计 | 第65-67页 |
| ·器件工艺流程 | 第67-70页 |
| ·PN结耐压测试 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79页 |
