并五苯有机薄膜晶体管的研究
| 提要 | 第1-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-39页 |
| ·有机半导体材料的基本性质 | 第10-19页 |
| ·有机半导体中的价键理论 | 第11-13页 |
| ·有机半导体中的载流子输运 | 第13-17页 |
| ·有机半导体的基本电学参数 | 第17-19页 |
| ·有机半导体材料的主要应用 | 第19-24页 |
| ·有机电致发光显示 | 第19-21页 |
| ·有机太阳能电池 | 第21-23页 |
| ·有机光探测器 | 第23页 |
| ·有机薄膜晶体管 | 第23-24页 |
| ·有机薄膜晶体管的发展与应用前景 | 第24-37页 |
| ·场效应晶体管的基本知识 | 第24-25页 |
| ·有机薄膜晶体管的常见材料及其主要参数 | 第25-29页 |
| ·有机薄膜晶体管的发展和现状 | 第29-33页 |
| ·有机薄膜晶体管的前景展望 | 第33-37页 |
| ·本论文的主要工作 | 第37-39页 |
| 第二章 利用空穴注入材料改善有机薄膜晶体管的性能 | 第39-63页 |
| ·有机薄膜晶体管的基本结构 | 第41-43页 |
| ·有机薄膜晶体管中载流子的传输 | 第43-50页 |
| ·p沟道增强型有机薄膜晶体管的工作基础 | 第44-45页 |
| ·影响有机薄膜晶体管工作性质的因素 | 第45-49页 |
| ·有机薄膜晶体管电学参数的提取 | 第49-50页 |
| ·顶接触型并五苯薄膜晶体管的制备及性能 | 第50-55页 |
| ·实验所用主要试剂和工艺流程 | 第50-53页 |
| ·通常结构的并五苯薄膜晶体管结构及性能 | 第53-55页 |
| ·利用有机空穴注入材料改善并五苯薄膜晶体管的性能 | 第55-62页 |
| ·器件的结构和所用材料 | 第56-57页 |
| ·器件性能和结果分析 | 第57-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| 第三章 氧化钼/金复合电极并五苯薄膜晶体管 | 第63-81页 |
| ·金与有机半导体间的接触概述 | 第64-66页 |
| ·金在有机半导体薄膜表面层中的扩散 | 第66-68页 |
| ·金与并五苯之间的接触界面及性质 | 第68-73页 |
| ·金与并五苯之间的接触界面 | 第68-70页 |
| ·并五苯与金之间接触电阻的来源 | 第70-72页 |
| ·顶接触器件的金与并五苯的接触性质 | 第72-73页 |
| ·复合电极的并五苯薄膜晶体管 | 第73-80页 |
| ·复合电极并五苯薄膜晶体管的结构 | 第73-74页 |
| ·器件的性能 | 第74-77页 |
| ·器件的结果与分析 | 第77-80页 |
| ·结论 | 第80-81页 |
| 第四章 有机薄膜晶体管的器件物理基础 | 第81-94页 |
| ·有机薄膜晶体管中的载流子分布 | 第81-84页 |
| ·双端MOS结构 | 第81-83页 |
| ·不同栅压下有机半导体薄膜中的载流子分布 | 第83-84页 |
| ·有机薄膜晶体管电流－电压方程的数学推导 | 第84-87页 |
| ·有机薄膜晶体管中的迁移率栅压依赖现象 | 第87-93页 |
| ·迁移率与栅压关系的提出 | 第87-88页 |
| ·有机薄膜晶体管中的晶粒间界 | 第88-90页 |
| ·并五苯薄膜晶体管中的迁移率栅压依赖经验公式 | 第90-91页 |
| ·并五苯薄膜晶体管迁移率栅压依赖经验公式的参数γ | 第91-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 第五章 有机薄膜晶体管的测试平台 | 第94-107页 |
| 参考文献 | 第107-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 在国外刊物上发表的文章 | 第125-126页 |
| 摘要 | 第126-130页 |
| Abstract | 第130-132页 |
