| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 插图索引 | 第11-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-29页 |
| ·有机电致发光器件的发展历程 | 第12-13页 |
| ·有机电致发光多样性器件结构 | 第13-16页 |
| ·单层和双层器件结构 | 第14页 |
| ·三层和多层器件结构 | 第14-16页 |
| ·有机电致发光器件所需材料 | 第16-18页 |
| ·电极材料 | 第16页 |
| ·载流子传输材料 | 第16-17页 |
| ·发光材料 | 第17-18页 |
| ·有机电致器件的电极修饰 | 第18-20页 |
| ·阴极修饰 | 第18-19页 |
| ·阳极修饰 | 第19-20页 |
| ·有机电致器件的发光机理 | 第20-25页 |
| ·电子和空穴分别从阴极和阳极注入有机层 | 第21-22页 |
| ·电子和空穴在有机层中传输 | 第22-23页 |
| ·激子形成 | 第23-24页 |
| ·激子辐射复合导致发光 | 第24-25页 |
| ·有机电致发光器件的几个重要品质因子 | 第25-28页 |
| ·有机电致发光器件的效率 | 第25-26页 |
| ·有机电致发光器件的发光亮度 | 第26-27页 |
| ·有机电致发光器件的寿命 | 第27-28页 |
| ·本论文主要工作 | 第28-29页 |
| 第2章 金属/有机物界面偶极能 | 第29-39页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·理论模型 | 第29-34页 |
| ·金属/无机半导体界面偶极能 | 第29-32页 |
| ·金属/有机半导体界面偶极能 | 第32-34页 |
| ·结果和讨论 | 第34-38页 |
| ·界面处电场强度随d_(ms) 、N_B 的关系 | 第35页 |
| ·界面偶极能随d_(ms) 的变化关系 | 第35-36页 |
| ·界面偶极能随N_B 的变化关系 | 第36页 |
| ·界面偶极能与金属功函数的关系 | 第36-38页 |
| ·结论 | 第38-39页 |
| 第3章 LiF 修饰阴极的双层有机电致发光器件性能的提高 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·理论模型 | 第39-43页 |
| ·结果和讨论 | 第43-45页 |
| ·LiF 厚度对器件电流的影响 | 第43-44页 |
| ·Alq 厚度对器件电流的影响 | 第44-45页 |
| ·与其他研究组结果比较 | 第45-47页 |
| ·理论模型的比较 | 第45-46页 |
| ·与试验结果比较 | 第46-47页 |
| 第4章 双层器件内界面势垒对复合效率的影响 | 第47-54页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·理论模型 | 第48-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·空穴传输层厚度对复合效率的影响 | 第50-51页 |
| ·内界面势垒高度对复合效率的影响 | 第51页 |
| ·复合区域宽度和空穴传输层厚度的关系 | 第51-52页 |
| ·复合区域宽度和内界面势垒的关系 | 第52-53页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第61页 |