| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| ·ZnO材料结构和基本特性 | 第10-13页 |
| ·ZnO薄膜发光特性研究状况 | 第13-14页 |
| ·ZnO薄膜掺杂及ZnO器件研究进展 | 第14-20页 |
| ·ZnO薄膜n型低阻掺杂 | 第14页 |
| ·ZnO薄膜p型掺杂 | 第14-17页 |
| ·ZnO带隙调整掺杂 | 第17页 |
| ·ZnO器件研究进展 | 第17-20页 |
| ·ZnO的广泛应用 | 第20-22页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 2 ZnO薄膜的制备方法与相关测试方法 | 第24-40页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第24-32页 |
| ·磁控溅射法 | 第24-26页 |
| ·超声喷雾热分解(USP)法 | 第26-29页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)法 | 第29-32页 |
| ·测试方法 | 第32-40页 |
| ·霍尔效应测试 | 第32-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34-36页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第36-37页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第37-38页 |
| ·透射-反射谱(Transmission and reflection spectra) | 第38-39页 |
| ·其他测试方法 | 第39-40页 |
| 3 磁控溅射方法制备AZO透明导电薄膜研究 | 第40-65页 |
| ·透明导电薄膜研究进展及生长机理 | 第40-42页 |
| ·AZO透明导电薄膜特性随衬底温度变化研究 | 第42-48页 |
| ·背景Ar气中掺H_2制备AZO薄膜及特性研究 | 第48-64页 |
| ·AZO薄膜特性随掺H_2量变化研究 | 第48-55页 |
| ·背景Ar气中掺H_2制备的AZO薄膜特性随衬底温度变化研究 | 第55-58页 |
| ·低温H_2掺杂制备AZO薄膜及特性研究 | 第58-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 4 USP方法制备p型ZnO薄膜及发光器件研究 | 第65-84页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·氮-铟共掺杂p型ZnO薄膜制备研究 | 第65-70页 |
| ·USP方法制备ZnO发光器件研究 | 第70-76页 |
| ·ZnO发光器件制备工艺 | 第70-72页 |
| ·ZnO发光器件的PL测试分析 | 第72-73页 |
| ·ZnO发光器件的电致发光 | 第73-75页 |
| ·ZnO发光器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第75-76页 |
| ·Mg掺杂ZnO薄膜及ZnO双异质结发光器件制备研究 | 第76-82页 |
| ·Mg掺杂ZnO薄膜带隙调节研究 | 第76-78页 |
| ·双异质结发光器件设计思路 | 第78-79页 |
| ·试制备双异质结发光器件及其特性研究 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 5 PLD方法制备p型ZnO薄膜及发光器件研究 | 第84-104页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·PLD方法制备p型ZnO薄膜 | 第85-91页 |
| ·PLD方法制备p-ZnO/n~+-GaAs异质结发光器件 | 第91-97页 |
| ·p-n同质结ZnO发光器件初步研究 | 第97-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 结论 | 第104-105页 |
| 创新点摘要 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-115页 |
| 附录 ZnO XRD衍射角度和晶面方向对应表 | 第115-116页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况(作者排名前三位) | 第116-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
