| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| ·研究背景 | 第11页 |
| ·材料的磁性能 | 第11-13页 |
| ·磁化曲线与磁滞回线 | 第11-12页 |
| ·物质的磁性分类 | 第12-13页 |
| ·技术磁化的本质 | 第13页 |
| ·非晶态磁性材料 | 第13-14页 |
| ·电学性能 | 第14页 |
| ·耐蚀性 | 第14页 |
| ·居里温度 | 第14页 |
| ·磁各向异性 | 第14页 |
| ·磁致伸缩 | 第14页 |
| ·磁滞回线 | 第14页 |
| ·非晶薄膜制备方法 | 第14-15页 |
| ·蒸发法 | 第14-15页 |
| ·溅射法 | 第15页 |
| ·离子注入 | 第15页 |
| ·化学反应法 | 第15页 |
| ·非晶纳米晶软磁合金 | 第15-17页 |
| ·非晶软磁材料中纳米晶的形成机理 | 第15-16页 |
| ·非晶纳米晶软磁合金设计原则 | 第16-17页 |
| ·非晶纳米晶软磁合金的应用 | 第17页 |
| ·本文研究的目的、意义，主要内容及其技术路线 | 第17-19页 |
| ·研究目的及意义 | 第17-18页 |
| ·研究的主要内容 | 第18页 |
| ·主要技术路线 | 第18-19页 |
| 2 试验原理与方法 | 第19-27页 |
| ·溅射技术 | 第19-23页 |
| ·气体放电的伏安特性 | 第19-20页 |
| ·直流二极溅射 | 第20-21页 |
| ·直流三极溅射 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射 | 第22-23页 |
| ·FeZrBCu 薄膜制备 | 第23-24页 |
| ·薄膜结构及性能测试原理与方法 | 第24-27页 |
| ·薄膜结构、成分分析 | 第24页 |
| ·薄膜表面形貌、粗糙度、厚度测量 | 第24页 |
| ·薄膜方阻测定 | 第24-25页 |
| ·薄膜样品磁性能测试 | 第25-27页 |
| 3 靶材制备与性能研究 | 第27-37页 |
| ·靶材制备工艺与技术要求 | 第27-29页 |
| ·靶材的类型 | 第27页 |
| ·靶材的制备工艺 | 第27-28页 |
| ·靶材的技术要求 | 第28-29页 |
| ·FeZrBCu 合金靶材制备 | 第29-31页 |
| ·FeZrBCu 合金靶材研究 | 第31-36页 |
| ·FeZrBCu 合金靶材XRD 研究 | 第31-32页 |
| ·FeZrBCu 合金靶材密度 | 第32-33页 |
| ·FeZrBCu 合金靶材硬度 | 第33-34页 |
| ·FeZrBCu 合金靶材的金相组织 | 第34页 |
| ·溅射靶材研究中需要解决的几个问题 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、结构与成分的影响 | 第37-61页 |
| ·溅射工艺对薄膜沉积速率的影响 | 第37-43页 |
| ·溅射功率对薄膜沉积速率的影响 | 第37-38页 |
| ·氩气分压对薄膜沉积速率的影响 | 第38-39页 |
| ·靶基距对薄膜沉积速率的影响 | 第39-41页 |
| ·偏压对薄膜沉积速率的影响 | 第41页 |
| ·本底真空度对薄膜沉积速率的影响 | 第41-42页 |
| ·不同成分薄膜的沉积速率 | 第42-43页 |
| ·溅射工艺对薄膜表面形貌的影响 | 第43-53页 |
| ·溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第43-46页 |
| ·氩气分压对薄膜表面形貌的影响 | 第46-49页 |
| ·靶基距对薄膜表面形貌的影响 | 第49-51页 |
| ·偏压对薄膜表面形貌的影响 | 第51-53页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第53-56页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第53-55页 |
| ·薄膜金相观察 | 第55-56页 |
| ·溅射工艺对薄膜成分的影响 | 第56-60页 |
| ·溅射产额 | 第56-57页 |
| ·溅射功率对薄膜成分的影响 | 第57-58页 |
| ·氩气分压对薄膜成分的影响 | 第58-59页 |
| ·偏压对薄膜成分的影响 | 第59页 |
| ·不同成分薄膜各元素含量 | 第59-60页 |
| ·合金靶的溅射 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 5 薄膜的方阻与电阻率研究 | 第61-67页 |
| ·薄膜电导理论 | 第61页 |
| ·溅射工艺对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第61-65页 |
| ·溅射功率对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第61-62页 |
| ·氩气分压对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第62-63页 |
| ·靶基距对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第63页 |
| ·本底真空度对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第63-64页 |
| ·偏压对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第64-65页 |
| ·成分对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第65页 |
| ·退火对薄膜方阻与电阻率的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 6 薄膜磁性能研究 | 第67-89页 |
| ·制备工艺对薄膜磁性能的影响 | 第67-77页 |
| ·溅射功率对薄膜磁性能的影响 | 第67-69页 |
| ·氩气分压对薄膜磁性能的影响 | 第69-72页 |
| ·靶基距对薄膜磁性能的影响 | 第72-73页 |
| ·本底真空度对薄膜磁性能的影响 | 第73-75页 |
| ·偏压对薄膜磁性能的影响 | 第75-77页 |
| ·成分对薄膜磁性能的影响 | 第77-80页 |
| ·Zr 含量对薄膜磁性能的影响 | 第77-78页 |
| ·B 含量对薄膜磁性能的影响 | 第78-80页 |
| ·热处理对薄膜磁性能的影响 | 第80-86页 |
| ·不同温度退火对薄膜磁性能的影响 | 第80-83页 |
| ·退火对不同Zr 含量薄膜磁性能的影响 | 第83-84页 |
| ·退火对不同B 含量薄膜磁性能的影响 | 第84-86页 |
| ·单辊快淬法制备FeZrBCu 薄带磁性能研究 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 7 结论 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |